Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E10N1 ( K100E10N1 ) оригінал , TO220
108,10 ₴
94 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
94 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK100E10N1 (K100E10N1) – N-канальний MOSFET Toshiba на напругу стік-витік 100 В у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET, N-канал, U-MOS-H |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 100 А |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 207 А |
| Rds(on) тип. | 2,8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 3,4 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Qg | 140 нКл (Vdd ≈ 80 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8800 пФ |
| Pd | 255 Вт (Tc = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
TK100E10N1 (у назві товару є також написання K100E10N1) – N-канальний MOSFET Toshiba серії U-MOS-H, працює в режимі збагачення, корпус TO-220. Оригінал, не демонтаж. За datasheet: напруга стік-витік Vdss 100 В, опір відкритого каналу Rds(on) 2,8 мОм типово і 3,4 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 50 А. Струм стоку 100 А обмежений корпусом, кристал витримує 207 А. Повний заряд затвора Qg 140 нКл при Vdd ≈ 80 В, Vgs 10 В, Id 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 8800 пФ. Розсіювана потужність Pd 255 Вт при температурі корпусу Tc = 25 °C. Виводи: 1 затвор, 2 стік (радіатор), 3 витік.
Підбираючи заміну, порівнюйте з оригіналом тип каналу, Vdss, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і заряд затвора Qg: якщо він удвічі більший, перевірте драйвер. За даними виробника, прямі заміни – TK3R9E10PL і TK2R9E10PL. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою: відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Switching Voltage Regulators (імпульсні регулятори напруги)
Чим замінити TK100E10N1?
За даними виробника, прямі заміни – TK3R9E10PL і TK2R9E10PL. Перед заміною порівняйте Vdss, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і Qg за datasheet.
Який струм витримує TK100E10N1?
Обмеження корпусом – 100 А, обмеження кристалом – 207 А. Для реальної схеми орієнтуйтесь на струм, обмежений корпусом.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при Vds 10 В, Id 1,0 мА. Повне відкриття каналу дано при Vgs 10 В.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: TK100E10N1, MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H), Rev.6.0.A.
Параметри наведено за datasheet виробника Toshiba (TK100E10N1, Rev. 6.0.A).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.