Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK58E06N1 ( K58E06N1 ) оригінал , TO220
164,50 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK58E06N1 (K58E06N1) – N-канальний польовий транзистор Toshiba серії U-MOS-H у корпусі TO-220 для імпульсних регуляторів напруги. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Струм стоку Id (з радіатором) | 58 А |
| Rds(on) типово | 4,4 мОм при Vgs = 10 В, Id = 29 А |
| Розсіювана потужність Pd | 110 Вт при Tc = 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл при Vdd ≈ 48 В, Vgs = 10 В, Id = 58 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
TK58E06N1 (K58E06N1) – N-канальний MOSFET Toshiba серії U-MOS-H, режим збагачення, корпус TO-220 з 3 виводами. Напруга стік-витік Vdss – 60 В. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4,4 мОм типово і 5,4 мОм максимум при Vgs = 10 В, Id = 29 А. Струм стоку Id – 58 А з радіатором (Rth(ch-a) = 3,57 °C/Вт); за кристалом – 105 А, корпус обмежує струм до 100 А. Розсіювана потужність Pd – 110 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура каналу – 150 °C. Повний заряд затвора Qg – 46 нКл (Vdd ≈ 48 В, Vgs = 10 В, Id = 58 А). Вхідна ємність Ciss типово 3400 пФ.
Стан: оригінал. Замінюючи транзистор, порівнюйте Vdss, струм, Rds(on) при однаковому Vgs, заряд затвора Qg і корпус TO-220. Прямі заміни за даними виробника – TK5R1E06PL і TK4R3E06PL. Замовляйте з відправкою з Запоріжжя Новою Поштою: відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- імпульсні регулятори напруги
Чим замінити TK58E06N1?
Виробник називає прямі заміни TK5R1E06PL і TK4R3E06PL. Перед заміною порівняйте напругу, струм, Rds(on) при Vgs = 10 В, заряд затвора Qg та корпус TO-220.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує TK58E06N1?
58 А з радіатором (Rth(ch-a) = 3,57 °C/Вт). За кристалом – 105 А, але корпус обмежує струм до 100 А.
Яка напруга на затворі потрібна для відкриття?
Опір каналу нормується при Vgs = 10 В: Rds(on) 4,4 мОм типово і 5,4 мОм максимум при Id = 29 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при Vds = 10 В, Id = 0,5 мА.
Документація виробника: TK58E06N1 Data sheet, Rev.5.0.A.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.