Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK11A65W ( K11A65W ) оригінал , TO220F
216,20 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK11A65W (K11A65W) – N-канальний польовий транзистор Toshiba для імпульсних стабілізаторів напруги, корпус TO220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11.1 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.39 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
TK11A65W – N-канальний MOSFET Toshiba серії DTMOS (Super Junction) у корпусі TO-220SIS (TO220F, SC-67), працює в режимі збагачення. Напруга Vdss 650 В, струм стоку Id 11.1 А при Tc 25 °C, імпульсний струм Idp 44.4 А. Опір Rds(on) типовий 0.33 Ом, максимальний 0.39 Ом при Vgs 10 В і Id 5.5 А. Поріг відкривання Vth 2.5–3.5 В при Vds 10 В і Id 0.45 мА. Заряд затвора Qg 25 нКл (типовий, Vdd ≈ 400 В, Vgs 10 В, Id 11.1 А), вхідна ємність Ciss 890 пФ при Vds 300 В. Потужність розсіювання Pd 35 Вт при Tc 25 °C, температура каналу до 150 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Корпус ізольований: напруга ізоляції Viso 2000 В (RMS). Розпіновка: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу Vdss, струм Id, опір Rds(on) і заряд затвора Qg, а також корпус і розпіновку; перевіряйте за datasheet.
Де застосовують
- Імпульсні стабілізатори напруги
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити TK11A65W?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO220F з тією ж розпіновкою: Vdss не нижче 650 В, Id не нижче потрібного вам струму, Rds(on) не вище 0.39 Ом при Vgs 10 В. Порівнюйте datasheet.
Як перевірити транзистор мультиметром?
Вимкніть плату з живлення, розрядіть конденсатори й перевірте, що між виводами немає короткого замикання. Перевірка внутрішнього діода стік–витік у режимі діода показує, чи немає пробою.
Чи ізольований корпус від радіатора?
Корпус TO220F ізольований, напруга ізоляції Viso 2000 В (RMS). Чи потрібна прокладка у вашій схемі, визначайте за умовами монтажу.
Документація виробника: TK11A65W datasheet, Rev.4.0.A (початок серійного випуску 2013-07).
Параметри наведено за datasheet Toshiba, основні значення збігаються з даними DigiKey.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.