Польові транзистори
Транзистор SKD502T оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А (обмеження корпусу); 135 А (обмеження кремнію) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 86 А, обмеження кремнію |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=50 А) | 4.6 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SKSS055N08N оригінал, TO263
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 86 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 4,3 мОм (тип.), 5,2 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SKST065N08N оригінал, TO220
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 121 А (обмеження кристала, за корпусом 120 А) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Rds(on) | 5,6 мОм тип., 6,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Qg | 47 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 42,5 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ (f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 164 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF13N50A оригінал ( заміна для SLF13N50C ), TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maplesemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.483 Ом тип., макс. 0.650 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19.1 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1066 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 32.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF65R170E7 оригінал, TO220F
В наявності
94,47 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, суперперехід |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 22 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 170 мОм макс., 150 мОм тип. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА) |
| Заряд затвора Qg | 30,2 нКл тип. (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Час відновлення діода trr | 274 нс тип. (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 36 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Msemitek |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SM1F02N ( SM1F02NSU ) , DPAK оригінал
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sinopower |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В (TA 25 °C) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 35 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 22 А |
| Rds(on) | 46 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 10 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (VDS = 75 В, VGS = 10 В, IDS = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 113 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А | 0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SMK630 ( SMK630D ) оригінал , D-PAK
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Kodenshi AUK Group |
| Напруга Vds | 200 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 9 А (Tc 25 °C); 5,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4,5 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 12 нКл тип. (Vds 160 В, Vgs 10 В, Id 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SP8K3 , so-8
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | два N-канальні MOSFET в одному корпусі |
| Виробник | ROHM |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds | 30 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Id | 7,0 А на транзистор (Ta = 25 °C) |
| Імпульсний струм | 28 А (Pw ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 17 мОм (тип.), 24 мОм (макс.) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 23 мОм (тип.), 33 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі) |
| Вхідна ємність Ciss | 600 пФ |
| Vgs | ±20 В |
| Температура каналу | 150 °C |
Транзистор SP8M3 (30V,5A,-4.5A,2W) , so-8
В наявності
44,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | один N-канал і один P-канал в одному корпусі |
| Виробник | ROHM |
| Корпус | SO-8 |
| Vds N-канал | 30 В (Ta = 25 °C) |
| Vds P-канал | –30 В (Ta = 25 °C) |
| Id N-канал | 5,0 А (Ta = 25 °C) |
| Id P-канал | –4,5 А (Ta = 25 °C) |
| Rds(on) N-канал | 36 мОм (тип.), 51 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 5,0 А |
| Rds(on) P-канал | 40 мОм (тип.), 56 мОм (макс.) при Vgs –10 В, Id –4,5 А |
| Vgs(th) N-канал | 1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Vgs(th) P-канал | –1,0…–2,5 В (Vds –10 В, Id –1 мА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі) |
| Vgs | ±20 В |
| Температура каналу | 150 °C |
Транзистор SPP11N60C3 ( 11N60C3 ) оригінал ( Заміна для SPP11N60CFD , 11N60CFD ) , TO220
В наявності
190,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Cool MOS) |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 11 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,34 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–3,9 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 500 мкА) |
| Заряд Qg | 45 нКл тип., 60 нКл макс. (VDD 480 В, ID 11 А, VGS 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPP11N80C3 ( 11N80C3 ) оригінал, TO220
В наявності
163,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET N-канал, CoolMOS C3 |
| Напруга Vds | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7.1 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 33 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPP20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж (650V,20.7A) , TO220(Заміна для SPP20N60CFD , 20N60CFD )
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Vds | 650 В (при Tj max) |
| V(BR)DSS | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Id при 25 °C | 20.7 А (Tc = 25 °C) |
| Id при 100 °C | 13.1 А (Tc = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.19 Ом макс., тип. 0,16 Ом (Vgs 10 В, Id 13,1 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1–3.9 В (Id 1000 мкА, Vgs = Vds) |
| Потужність Ptot | 208 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
90,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм стоку Id | 20,7 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 13,1 А, TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–3,9 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 208 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал, TO247
В наявності
139,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга V(BR)DSS | 600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20.7 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 13.1 А |
| Rds(on) | 0.16 Ом тип., 0.19 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 13.1 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1–3.9 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW35N60C3 ( 35N60C3) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (CoolMOS) |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 34.6 А (TC = 25 °C); 21.9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.1 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 21,9 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В (VDS = VGS, ID = 1,9 мА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (тип.; VDD = 480 В, ID = 34,6 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 313 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор SPW47N60C3 оригінал демонтаж( 47N60C3 , 47N60CFD , SPW47N60CFD )(47A,650V) , TO247
В наявності
298,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 47 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 30 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) | 0,06 Ом типово (VGS 10 В, ID 24 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 182 нКл типово (VGS 10 В, ID 24 А, VDS 520 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5682 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Pd | 415 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| trr діода | 753 нс типово (IF = IS = 24 А) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SRC60R140BTG ( SRC60R140B ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 25 А |
| Струм Id (Tc 125 °C) | 11.2 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 13 А |
| Поріг Vgs(th) | 2.3–4.3 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40.4 нКл тип. при Vgs 0…10 В, Vdd 480 В, Id 13 А |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 178.6 Вт (для TO-247) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Shenzhen Sanrise Technology |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST STP100N8F6 ( 100N8F6 ) оригінал, TO220
В наявності
57,81 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Rds(on) | 0.008 Ом тип., 0.009 Ом макс. (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (VDD 40 В, ID 100 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST STP26N60M2 ( 26N60M2 ) оригінал, TO220
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (MDmesh M2) |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 13 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 80 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм тип., макс. 165 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип., 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1360 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 169 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор ST STW11NK100Z ( W11NK100Z ) оригінал демонтаж, TO247 б/в
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 1000 В (Vgs 0 В, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 8.3 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 5.2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) типово | 0.83 Ом (Vgs 10 В, Id 4.15 А) |
| Rds(on) макс. | 1.38 Ом (Vgs 10 В, Id 4.15 А) |
| Vgs(th) | 3.75 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 113 нКл (Vdd 800 В, Id 8 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор ST13N60M2 ( STF13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, TO220F
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 350 мОм тип. / 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (Vdd 480 В, Id 11 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 297 нс тип. (Isd 11 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST13NM60N ( STF13NM60N , 13NM60N ) оригінал, TO220F
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | N-канальний MOSFET, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 11 А (TC = 25 °C); 6,93 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом тип., 0,36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 В мін., 3 В тип., 4 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±25 В (абсолютний максимум) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 44 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція Viso | 2500 В RMS |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST24N60M2 ( STF24N60M2 , 24N60M2 ) оригінал (Заміна для FCPF21N60NT ), TO220F
В наявності
249,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 168 мОм typ, 190 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (VDD = 480 В, ID = 18 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST24N60M2 ( STP24N60M2 , 24N60M2 ) оригінал (Заміна для SPP24N60C3 , 24N60C3 , IXTP24N65X2 , IXTP24N50 ), TO220
В наявності
203,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N (MDmesh M2, захист Зенера) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 168 мОм типово, макс. 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (VDD = 400 В, ID = 17 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STB10NK60Z ( B10NK60Z )(600V,10A) , D2PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор–витік |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 5,7 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,00–4,50 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл типово (VDD = 480 В, ID = 8 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 115 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
Демонтаж
Транзистор STB20NM50 ( B20NM50 , STB20NM50FD ) оригінал демонтаж(заміна для STB14NM50N , 14NM50N ), D2PAK
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 250 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 4 В тип. (мін. 3, макс. 5 В) |
| Qg | 40 нКл тип. (VDD = 400 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 192 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB20NM60 ( B20NM60 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 20 А |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 250 / 290 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Заряд затвора Qg | 39 (макс. 54) нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 192 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB21NK50Z ( 21NK50Z ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, захист затвора стабілітроном |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В) |
| Струм Id | 17 А (Tc 25 °C), 10.71 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.23 Ом тип., макс. 0,27 Ом (VGS 10 В, Id 8,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл тип., макс. 119 (VDD 400 В, Id 17 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.75 В тип. (мін. 3, макс. 4,5; VDS = VGS, Id 100 мкА) |
| Потужність Pd | 190 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB35N65M5 ( 35N65M5 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (25 °C) | 27 А |
| Струм Id (100 °C) | 17 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 85 / 98 мОм (VGS = 10 В, ID = 13.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 83 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3750 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж(заміна для STB23NM50N, 23NM50N , STB32NM50N , 32NM50N , STB28NM50N, 28NM50N , STB25NM50N, 25NM50N , STB21NM50N, 21NM50N ), D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 34 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 22 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 88 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А) |
| Vgs(th) | 3 В тип. (мін. 2, макс. 4 В) |
| Qg | 57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STB42N65M5 ( 42N65M5 ) оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (25 °C) | 33 А |
| Струм Id (100 °C) | 20.8 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 70 / 79 мОм (VGS = 10 В, ID = 16.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4650 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STB80NF03L-04 ( 80NF03L-04 ) оригінал, D2PAK
В наявності
119,38 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (STripFET II, logic level) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0) |
| Струм Id (Tc = 25 °C) | 80 А |
| Rds(on) макс. (Vgs = 10 В) | 0,004 Ом (ID = 40 А) |
| Rds(on) макс. (Vgs = 4,5 В) | 0,0055 Ом (ID = 40 А) |
| Розсіювана потужність | 300 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |