Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор STB80NF03L-04 ( 80NF03L-04 ) оригінал, D2PAK

119,38 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STB80NF03L-04 (80NF03L-04) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії STripFET II з керуванням логічним рівнем, 30 В, у корпусі D2PAK. Оригінал, не копія.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал (STripFET II, logic level)
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vds30 В (VGS = 0)
Струм Id (Tc = 25 °C)80 А
Rds(on) макс. (Vgs = 10 В)0,004 Ом (ID = 40 А)
Rds(on) макс. (Vgs = 4,5 В)0,0055 Ом (ID = 40 А)
Розсіювана потужність300 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss5500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусD2PAK
СтанОригінал
Опис

STB80NF03L-04 (маркування 80NF03L-04) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії STripFET II з низьким порогом керування (logic level). Напруга стік-витік Vds – 30 В при Vgs = 0. Струм стоку Id – 80 А при Tc = 25 °C і при Tc = 100 °C; це значення обмежене корпусом. Опір відкритого каналу Rds(on): типово 0,0035 Ом (максимум 0,004 Ом) при Vgs = 10 В, Id = 40 А, а при Vgs = 4,5 В – типово 0,004 Ом (максимум 0,0055 Ом). Розсіювана потужність – 300 Вт при Tc = 25 °C, робоча температура переходу від -60 до 175 °C. Напруга затвор-витік Vgs – ±20 В. Вхідна ємність Ciss типово 5500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Корпус D2PAK відповідає позначенню STB80NF03L-04 у таблиці замовлення даташиту.

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при Vgs = 4,5 В (якщо схема керується логічним рівнем) і корпус D2PAK. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні застосування, автомобільна електроніка.
Часто питають
Чим замінити STB80NF03L-04?

Підбирайте N-канальний MOSFET з Vds не нижче 30 В, корпусом D2PAK і схожими Id та Rds(on) при Vgs = 4,5 В. Порівнюйте за datasheet, а не за назвою.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи керується транзистор логічним рівнем?

Так, для цього і призначена серія: Rds(on) нормується при Vgs = 4,5 В (типово 0,004 Ом, максимум 0,0055 Ом при Id = 40 А).

Чому Id однаковий при 25 °C і 100 °C?

Значення 80 А в datasheet обмежене корпусом, а не кристалом, тому воно однакове для обох температур корпусу.

Datasheet

Документація виробника: STB80NF03L-04 (STMicroelectronics).

Параметри наведено за datasheet виробника STMicroelectronics (STB80NF03L-04, лютий 2003); корпус D2PAK відповідає документу.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STB80NF03L-04 (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.