Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST24N60M2 ( STP24N60M2 , 24N60M2 ) оригінал (Заміна для SPP24N60C3 , 24N60C3 , IXTP24N65X2 , IXTP24N50 ), TO220
203,04 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
ST24N60M2 (STP24N60M2, 24N60M2) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-220, оригінал. Для комутаційних застосувань, LLC та резонансних перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N (MDmesh M2, захист Зенера) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 168 мОм типово, макс. 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (VDD = 400 В, ID = 17 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
ST24N60M2 (також STP24N60M2, 24N60M2) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh M2 із захистом Зенера, корпус TO-220. Напруга Vds – 600 В. Струм стоку Id – 18 А при Tc 25 °C і 12 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 168 мОм, максимум 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 9 А). Заряд затвора Qg – 29 нКл (VDD = 400 В, ID = 17 А, VGS 0–10 В), порогова напруга Vgs(th) 2–4 В (типово 3 В). Вхідна ємність Ciss типово 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 150 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. ST24N60M2 може замінити SPP24N60C3, 24N60C3, IXTP24N65X2 та IXTP24N50, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для заміни самої деталі дивіться на канал N, корпус TO-220, Vds не нижче 600 В, Id і Rds(on) при тих самих умовах.
Де застосовують
- Комутаційні застосування
- LLC та резонансні перетворювачі
Чим замінити ST24N60M2?
Підбирайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не менше 600 В, Id не менше 18 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 168 мОм (VGS = 10 В). Порівнюйте за datasheet.
Що може замінити ST24N60M2?
ST24N60M2 може замінити SPP24N60C3, 24N60C3, IXTP24N65X2 та IXTP24N50. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для яких схем підходить ST24N60M2?
За даними документа – для комутаційних застосувань, LLC та резонансних перетворювачів. Затвор має захист Зенера.
Документація виробника: DS9377 Rev 6.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.