Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF65R170E7 оригінал, TO220F
94,47 ₴
49 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
49 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SLF65R170E7 – N-канальний польовий транзистор Msemitek (суперперехід) в корпусі TO-220F: 650 В, 22 А при 25 °C. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, суперперехід |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 22 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 170 мОм макс., 150 мОм тип. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА) |
| Заряд затвора Qg | 30,2 нКл тип. (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Час відновлення діода trr | 274 нс тип. (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 36 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Msemitek |
| Стан | Оригінал |
SLF65R170E7 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва Msemitek зі структурою суперперехід (Superjunction) в корпусі TO-220F. Напруга Vds – 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА). Струм стоку Id – 22 А при TC=25 °C і 12 А при TC=100 °C, обидва значення обмежені максимальною температурою переходу. Опір відкритого каналу Rds(on) – 170 мОм максимум, типово 150 мОм (VGS=10 В, ID=10 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА). Заряд затвора Qg – 30,2 нКл типово (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В). Вхідна ємність Ciss типово 1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц). Час зворотного відновлення діода trr – 274 нс типово (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс). Потужність розсіювання – 36 Вт при TC=25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, напругу Vds, струм Id і опір Rds(on) при однакових умовах вимірювання, а також корпус і розпіновку. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS) з високим ККД
Чим замінити SLF65R170E7?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В і близькими Id та Rds(on) при однакових умовах. Позицій у нашому каталозі, які проходять ці правила, зараз немає.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути діод тіла, а між затвором і іншими виводами – обрив.
Яка напруга потрібна на затворі?
Rds(on) 170 мОм максимум задано при VGS=10 В, ID=10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,5 В.
Документація виробника: SLF65R170E7 (Msemitek).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.