Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST13N60M2 ( STF13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, TO220F
145,70 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
ST13N60M2 (STF13N60M2, 13N60M2) – оригінальний N-канальний MOSFET серії MDmesh M2 STMicroelectronics у корпусі TO-220F для імпульсних застосувань.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 350 мОм тип. / 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (Vdd 480 В, Id 11 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 297 нс тип. (Isd 11 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
ST13N60M2 (STF13N60M2, 13N60M2) – N-канальний польовий транзистор серії MDmesh M2 виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-220FP (TO-220F). Напруга Vds – 600 В. Струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C. Опір Rds(on) – 350 мОм типове і 380 мОм максимальне при Vgs 10 В, Id 5,5 А. Поріг Vgs(th) – 2 В мінімум, 3 В типове, 4 В максимум при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 17 нКл (типове) при Vdd 480 В, Id 11 А, Vgs 0–10 В. Вхідна ємність Ciss типово 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Tj max – 150 °C. Час відновлення діода trr – 297 нс (типове) при Isd 11 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В.
Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220F. Параметри вказані за даташитом STF13N60M2 DS9369 Rev 5. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні застосування
Чим замінити ST13N60M2?
Підбирайте N-канальний MOSFET у TO-220F з Vds не нижче 600 В, Rds(on) не гірше 380 мОм при Vgs 10 В. Порівнюйте значення за однакових умов вимірювання.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи те саме ST13N60M2 і STF13N60M2?
У назві товару вони вказані як позначення однієї деталі, разом із маркуванням 13N60M2. Параметри на сторінці взято з даташита STF13N60M2.
Яке керування затвором потрібне?
Поріг Vgs(th) – від 2 до 4 В при Id 250 мкА, Rds(on) нормується при Vgs 10 В. Заряд затвора Qg – 17 нКл (типове).
Документація виробника: STF13N60M2 DS9369 Rev 5.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.