Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор STB42N65M5 ( 42N65M5 ) оригінал, D2PAK

216,20 ₴

14 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

14 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STB42N65M5 (42N65M5) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі D2PAK для імпульсних джерел живлення. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипMOSFET N-канал
Напруга Vds650 В
Струм Id (25 °C)33 А
Струм Id (100 °C)20.8 А
Rds(on) тип. / макс.70 / 79 мОм (VGS = 10 В, ID = 16.5 А)
Заряд затвора Qg98 нКл
Вхідна ємність Ciss4650 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Потужність Pd190 Вт (TC = 25 °C)
Tj max150 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал
Опис

STB42N65M5 – N-канальний MOSFET серії MDmesh M5 виробництва STMicroelectronics у корпусі D2PAK. Напруга стік–витік Vds – 650 В (при ID = 1 мА, VGS = 0 В). Струм стоку Id – 33 А при TC = 25 °C і 20.8 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 70 мОм типовий, 79 мОм максимальний (при VGS = 10 В, ID = 16.5 А). Заряд затвора Qg – 98 нКл (при VDD = 520 В, ID = 33 А, VGS = 0–10 В). Вхідна ємність Ciss типово 4650 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 190 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод між стоком і витоком є.

Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on), заряд затвора і корпус: драйвер затвора має впоратися з Qg. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні перетворювачі та джерела живлення (Switching applications)
  • MDmesh M5: дуже низький Rds(on), для схем з високою потужністю та ККД
Часто питають
Чим замінити STB42N65M5?

Підбирайте деталь з тим самим каналом (N-канал), не нижчою напругою Vds, не меншим струмом Id, не вищим Rds(on) і в тому самому корпусі D2PAK. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Як перевірити STB42N65M5 перед монтажем?

Мультиметром у режимі перевірки діодів: затвор не повинен мати зв'язку зі стоком і витоком.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Що означає M5 у назві серії?

STB42N65M5 належить до серії MDmesh M5: за даними виробника, вона відрізняється дуже низьким Rds(on) і розрахована на схеми з високою потужністю та ККД.

Datasheet

Документація виробника: STB42N65M5 (STMicroelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STB42N65M5 (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.