Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор TK11P65W , DPAK
123,14 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK11P65W – N-канальний польовий транзистор Toshiba серії DTMOS (Super Junction) на 650 В у корпусі DPAK для імпульсних регуляторів напруги.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал (DTMOS, Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 11.1 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. / макс. | 0.35 / 0.44 Ом (VGS 10 В, ID 5.5 А) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS 10 В, ID 0.45 мА) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 11.1 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| trr | 230 нс тип. (IDR 5.5 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
TK11P65W – N-канальний MOSFET Toshiba серії DTMOS (Super Junction) у корпусі DPAK. За даташитом TK11P65W Rev.3.0: напруга стік–витік Vds 650 В при Ta 25 °C, струм стоку Id (DC) 11.1 А при Ta 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.35 Ом типовий і 0.44 Ом максимальний при VGS 10 В, ID 5.5 А. Вхідна ємність Ciss типово 890 пФ. Потужність розсіювання 100 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу 150 °C.
Порогова напруга Vgs(th) – від 2.5 до 3.5 В при VDS 10 В, ID 0.45 мА. Заряд затвора Qg – 25 нКл при VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 11.1 А. Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – 230 нс (типово) при IDR 5.5 А, VGS 0 В. Виводи: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Для заміни беріть N-канальний MOSFET у DPAK з такою самою розпіновкою, Vds не нижче 650 В і Rds(on) не гіршим. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори напруги (Switching Voltage Regulators)
Яка розпіновка TK11P65W?
У корпусі DPAK: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.
Чим замінити TK11P65W?
Потрібен N-канальний MOSFET у DPAK з такою самою розпіновкою, Vds не нижче 650 В і Rds(on) не гірше за 0.44 Ом при VGS 10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Який заряд затвора, і що це означає для драйвера?
Qg – 25 нКл при VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 11.1 А. Драйвер має справлятися з цим зарядом на вашій частоті перемикання.
Який час відновлення вбудованого діода?
trr – 230 нс (типово) при IDR 5.5 А, VGS 0 В, -dIDR/dt 100 А/мкс.
Документація виробника: TK11P65W (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.