Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SW050R68E8T ( SWP050R68E8T ) оригінал, TO220

244,40 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SW050R68E8T (SWP050R68E8T) – N-канальний польовий транзистор Samwin у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds (BVDSS)68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id (25 °C)130 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу)
Струм Id (100 °C)88 А (Tc 100 °C, обмежено температурою переходу)
Опір Rds(on)5.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 30 А, Tj 25 °C; макс. 6 мОм)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Потужність Pd195.3 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6259 пФ (Vds 34 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220
Тип каналуN-канал
СтанОригінал
Опис

SW050R68E8T (SWP050R68E8T) – N-канальний MOSFET виробника Samwin у корпусі TO-220, режим збагачення. Параметри наведено за datasheet SWP050R68E8T (Samwin). Напруга Vds (BVDSS) становить 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C). Струм Id дорівнює 130 А при Tc 25 °C і 88 А при Tc 100 °C (обмежено температурою переходу). Опір Rds(on) типово 5.2 мОм при VGS = 10 В, ID = 30 А, Tj 25 °C (макс. 6 мОм). Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, потужність Pd 195.3 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Виводи: 1 затвор, 2 стік, 3 витік. Вхідна ємність Ciss типово 6259 пФ (Vds 34 В, f 1 МГц).

Товар новий: оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 68 В, не меншим струмом Id і не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Синхронне випрямлення
  • плати захисту Li-акумуляторів
  • інвертори (з datasheet)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
FHP120N08 канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×130=104, Rds(on) Vgs 10 В typ 6 ≤ 1.3×5.2=6.76 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перевірте Qg і схему драйвера затвора за datasheet. Купити
G042N10 канал N = N, Vds 100 ≥ 68, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×130=104, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.5 ≤ 1.3×5.2=6.76 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перевірте Qg і схему драйвера затвора за datasheet. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити SW050R68E8T?

Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з однаковою або вищою напругою Vds, не меншим струмом і порівнянним опором Rds(on) при Vgs 10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Як перевірити SW050R68E8T мультиметром?

Витягніть транзистор зі схеми, розрядіть затвор і перевірте в режимі діода вбудований діод між стоком і витоком. Після короткого дотику до затвора канал має відкритися, а після розрядки затвора закритися.

Яке призначення виводів SW050R68E8T?

У корпусі TO-220: вивід 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.

Datasheet

Документація виробника: SWP050R68E8T (Samwin).

Datasheet виробника описує тип SWP050R68E8T; номера SW050R68E8T у ньому немає.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SWP050R68E8T (Samwin) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.