Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK72E12N1 ( K72E12N1 ) оригінал , TO220
148,05 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK72E12N1 (K72E12N1) – N-канальний MOSFET Toshiba на 120 В і 72 А в корпусі TO-220, оригінал. Застосовується в імпульсних регуляторах напруги.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 72 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4,4 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Rds(on) тип. | 3,6 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (Vdd ≈ 96 В, Vgs 10 В, Id 72 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Ciss | 8100 пФ (Vds 60 В, Vgs 0 В, f 1 МГц) |
| Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
TK72E12N1 (маркування K72E12N1) – N-канальний MOSFET виробництва Toshiba, серія U-MOSVIII-H, режим збагачення. Напруга стік-витік Vdss – 120 В при 25 °C, напруга затвор-витік Vgss – ±20 В. Струм стоку Id (DC) – 72 А при Tc 25 °C (обмеження за кремнієм – 179 А). Опір відкритого каналу Rds(on): 4,4 мОм макс. і 3,6 мОм тип. при Vgs 10 В, Id 36 А. Заряд затвора Qg – 130 нКл (Vdd ≈ 96 В, Vgs 10 В, Id 72 А), вхідна ємність Ciss – 8100 пФ. Розсіювана потужність – 255 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу – 150 °C. Вбудований діод має струм 72 А, час зворотного відновлення 110 нс.
Це нова деталь, оригінал, не демонтаж. Корпус TO-220: виводи 1 – затвор, 2 – стік (радіатор), 3 – витік. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний MOSFET у тому ж корпусі з Vdss не нижче 120 В, з Rds(on) не гіршим і з близьким зарядом затвора, інакше драйвер може не впоратися. Замовлення відправляємо з Запоріжжя Новою поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори напруги
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити TK72E12N1?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vdss не нижче 120 В, струмом не менше за ваш режим і Rds(on) не гіршим за 4,4 мОм. Готового аналога з нашого каталогу зараз немає. Порівнюйте datasheet самостійно.
Як перевірити TK72E12N1?
Мультиметром у режимі діода: між витоком і стоком має бути падіння, як на діоді, а між затвором і іншими виводами – обрив. Перед перевіркою закоротіть усі виводи, щоб розрядити затвор.
Який струм витримує TK72E12N1?
Id (DC) – 72 А при Tc 25 °C. Обмеження за кремнієм – 179 А. Розсіювана потужність – 255 Вт при Tc 25 °C.
Документація виробника: TK72E12N1, MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVIII-H), Rev.4.0.A.
Параметри наведено за datasheet виробника Toshiba, Rev.4.0.A.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.