Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SW036R10E8S ( SWP036R10E8S ) оригінал, TO220

165,91 ₴

53 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

53 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SW036R10E8S (SWP036R10E8S) – N-канальний польовий транзистор Samwin у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)175 А (TC = 25 °C, обмеження кремнієм; обмеження корпусом 135 А)
Струм Id (100 °C)132 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)3.8 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 20 А; макс. 4.6 мОм)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Потужність Pd312.5 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6263 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220
Тип каналуN-канал
СтанОригінал
Опис

SW036R10E8S (SWP036R10E8S) – N-канальний MOSFET виробника Samwin у корпусі TO-220. Параметри наведено за datasheet SWP036R10E8S (Samwin). Напруга Vds становить 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм Id дорівнює 175 А при TC = 25 °C (обмеження кремнієм; обмеження корпусом 135 А) і 132 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) типово 3.8 мОм при VGS = 10 В, ID = 20 А (макс. 4.6 мОм). Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, потужність Pd 312.5 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вхідна ємність Ciss типово 6263 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц).

Товар новий: оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 100 В, не меншим струмом Id і не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Синхронне випрямлення
  • захист літієвих акумуляторів
  • драйвери двигунів (за документом)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
G042N10 канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×175=140, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.5 ≤ 1.3×3.8=4.94 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перевірте Qg і схему драйвера затвора за datasheet. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити SW036R10E8S?

Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з однаковою або вищою напругою Vds, не меншим струмом і порівнянним опором Rds(on) при Vgs 10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Як перевірити SW036R10E8S мультиметром?

Витягніть транзистор зі схеми, розрядіть затвор і перевірте в режимі діода вбудований діод між стоком і витоком. Після короткого дотику до затвора канал має відкритися, а після розрядки затвора закритися.

Чим відрізняються SW036R10E8S і SWP036R10E8S?

Назва товару містить обидва номери. Параметри наведено за datasheet SWP036R10E8S (Samwin), де SWP036R10E8S – тип у корпусі TO-220.

Datasheet

Документація виробника: SWP036R10E8S (Samwin).

Datasheet виробника описує тип SWP036R10E8S; номера SW036R10E8S у ньому немає.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SWP036R10E8S (Samwin) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.