Транзистори
Транзистор P3055LDG ( P3055LD ) оригінал, D-PAK
В наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UNIKC |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень (enhancement) |
| Напруга Vds | 25 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 12 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 8 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 12 А) | 50 мОм тип., 90 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS = 5 В, ID = 12 А) | 70 мОм тип., 120 мОм макс. |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 48 Вт |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 450 пФ (Vds 15 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P40V65FDR1 ( P40V65 , SGTP40V65FDR1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним швидким діодом |
| Напруга Vce | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.65 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3150 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P75N02LDG оригінал, D-PAK
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга V(BR)DSS | 25 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 75 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 50 А |
| Опір Rds(on) | 5 мОм типово, макс. 7 мОм (VGS 10 В, ID 30 А) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 1840 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 54 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | UNIKC |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PDP6980-5 ( DP6980-5 ) оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Potens Semiconductor |
| Напруга Vds (VGS=0 В, ID=250 мкА) | 65 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 113 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=20 А) | 1.7 мОм (тип.), 2.2 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS=4.5 В, ID=15 А) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–2.5 В (тип. 1.5 В) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (тип.), 260 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 9040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 278 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PDP8974 ( DP8974 ) , TO220
В наявності
78,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Potens Semiconductor |
| Тип каналу | N, режим збагачення (trench DMOS) |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 76 А |
| Опір Rds(on) | 3,2 мОм тип., 3,9 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл тип., 132 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 5160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 1–2,5 В (тип. 1,6 В) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Напруга Vgs | +20/–12 В |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор PDP8974 ( DP8974 ) оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (TC 25 °C); 76 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 480 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 3,2 мОм, макс. 3,9 мОм (VGS 10 В, ID 20 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при 4,5 В | 4,6 мОм, макс. 6,2 мОм (VGS 4,5 В, ID 10 А) |
| Vgs(th) | 1–2,5 В, тип. 1,6 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (VDS 64 В, VGS 10 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 184 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор PFV2 18N50 оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C), 12.1 А (Tc 100 °C), FQPF18N50V2 (TO-220F) |
| Опір Rds(on) тип. | 0.225 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.265 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В; макс. 55 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 2530 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 69 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор PTA28N50 оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор PTF30N50EL оригінал, TO247 б/в
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 30 А (Tc = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (Vgs = 10 В) |
| Потужність Pd | 333 Вт (Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 108 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор PTP02N03N оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) | 2.6 мОм (тип.), 3.4 мОм (макс.) |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 24 А) | 3.6 мОм (тип.), 4.7 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.7 В (1.0–3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор PTP02N04NB оригінал демонтаж, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 245 А (Tc 25 °C), 165 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.65 мОм тип., 2.1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | PIP |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор PTP03N04N оригінал (40V,240A) , D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds (за назвою) | 40 В |
| Струм (за назвою) | 240 А |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTP03N04N оригінал (заміна для FTP03N04N , SI030N040B ), TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 180 А |
| Rds(on) | 2.1 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTP20N50A оригінал, TO220(Заміна для HP20N50 , SiHFB20N50K , IRFB18N50K ) (500V,20A)
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2670 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 175 Вт (Tc 25 °C, корпус TO-220) |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW28N50 оригінал (заміна для SLW28N50C , 28N50C , 28N50P ) , TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | PIP |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 18 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 14 А) | 170 мОм тип., 210 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 78 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW30N50EL оригінал, TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (planar) |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 108 нКл тип. (VDD=250 В, ID=30 А, VGS=0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 333 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PW040N10CS оригінал, TO220
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 50 А | 3,4 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 64 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3783 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PingWei |
| Стан | Оригінал |
Транзистор R6020ANZ оригінал , TO-3PF
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А (Tc=25 °C), імпульсний 80 А |
| Опір Rds(on) | 0.17 Ом типово (ID=10 А, VGS=10 В), максимум 0.22 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.95–4.15 В (VDS=10 В, ID=1 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 120 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.5 В при IS=20 А, VGS=0 В) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор R6025ANZ оригінал демонтаж, TO-3PF
В наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 25 А |
| Струм Id (100 °C) | 12,5 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,15 Ом (макс.), 0,12 Ом (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3250 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор Renesas RJH30E2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 30 А |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) | 1.5 В (тип.) |
| tr | 80 нс (тип.) |
| tf | 150 нс (тип.) |
| Vf діода | 1.4 В (тип.) |
| trr діода | 23 нс (тип.) |
| Потужність Pc | 20 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL (ізольований) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор Renesas RJP30E2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT N-канал, trench |
| Напруга Vces | 360 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Ic | 35 А |
| Імпульсний струм | 200 А (PW ≤ 10 мкс, скважність ≤ 1 %) |
| Vce(sat) | 1.7 В (IC = 35 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність | 25 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL (ізольований, TO220F) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор RJH3044 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм Ic | 30 А |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) | 1,5 В тип. |
| Потужність розсіювання | 20 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є, швидкий, імпульсний струм 100 А |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RJH60F5 оригінал, TO247
В наявності
205,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT n-канал зі вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Ic | 160 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1,37 В тип., 1,8 В макс. |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Потужність Pc | 260,4 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RJH65T14 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежено зоною безпечної роботи); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 180 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В тип. (Ic = 50 А, Vge = 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є, швидкий |
| Прямий струм діода | 20 А (Tc 100 °C) |
| trr діода | 250 нс (If = 20 А, Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор RJP63F3 ( RJP63F3A ) оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 630 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Ic | 40 А (Ta = 25 °C) |
| Напруга VCE(sat) | 1.7 В (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга Vces | 630 В |
| Струм Ic (Ta 25 °C) | 35 А |
| Імпульсний струм Ic | 200 А |
| Vce(sat) (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) | 1,9 В тип., 2,4 В макс. |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 620 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RS18N50F оригінал , TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 18 А при Tc 25 °C |
| Імпульсний струм Idm | 72 А |
| Rds(on) | 0.34 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 9 А (тип. 0.28 Ом) |
| Заряд затвора Qg | 39.5 нКл при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2415 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В при Vgs=Vds, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 39 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| trr | 310 нс при Is 18 А, di/dt 100 А/мкс |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RS8N65F оригінал , TO220F
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 8 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,95 Ом (VGS = 10 В, ID = 4 А, типове; макс. 1,15) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл (VDS = 520 В, ID = 8 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU1H35R оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Shenzhen ruichips Semicon |
| Напруга Vds (BVDSS) | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Rds(on) | 21 мОм тип., 25 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=16 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6099R ( RU6099 , RU6099R3 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Тривалий струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C, радіатор); 90 А за Tc 100 °C |
| Rds(on) за Vgs 10 В, Ids 40 А | 6.0 мОм тип. / 7.0 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 мін. / 3 тип. / 4 макс. В |
| Заряд затвора Qg | 72 тип. / 105 макс. нКл |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт за Tc 100 °C |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Пряма напруга діода Vsd | 0.83 тип. / 1.1 макс. В (Isd 20 А) |
| Час відновлення діода trr | 50 нс (Isd 40 А) |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Корпус (докладно) | TO-220 (TO-220FB-3L) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
109,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6888R ( RU6888 ) оригінал, TO220
В наявності
61,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Ruichips |
| Напруга Vdss | 68 В |
| Струм Id (Vgs 10 В, Tc 25 °C) | 88 А |
| Струм Id (Vgs 10 В, Tc 100 °C) | 65 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 40 А) | 6 мОм (тип.), 8 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds = Vgs, Ids 250 мкА) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RU75N08R ( RU75N08 ) оригінал демонтаж (заміна для LTP75N08 , WFP75N08 ), TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 80 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 11 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А; типове 8 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 … 4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (VDS = 60 В, VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Потужність розсіювання Pd | 176 Вт (TC 25 °C; 88 Вт при TC 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | Ruichips |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RUH1H150R оригінал (заміна для RU1H150R ), TO220
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Ruichips Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 150 А (TC=25 °C, VGS=10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 106 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 3.2 мОм тип., макс. 4 (VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Qg | 87 нКл тип. (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150S оригінал, D2PAK
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 150 А (VGS 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 106 А (VGS 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл (VDS 80 В, VGS 10 В, ID 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Пряма напруга діода | 1,2 В макс. (ISD 75 А, VGS 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 36 нс (ISD 75 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N12R оригінал, TO220(60V,120A)
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=40 А) | 4,5 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В |
| Qg | 86 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 162 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N12S оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 4.5 мОм типово (Vgs 10 В, Id 40 А; мін. 3.6, макс. 5.4 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (типово 3 В, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 162 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В макс. |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N15R оригінал, TO220(60V,155A)
В наявності
101,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 155 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 98 А |
| Опір Rds(on) | 3.5 мОм тип. (макс. 4.2), VGS 10 В, ID 40 А |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N18R оригінал, TO220(60V,180A)
В наявності
109,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 180 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 114 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,4 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6647 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |