Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW30N50EL оригінал, TO-3P
345,92 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PTW30N50EL – N-канальний польовий транзистор PIP (Perfect Intelligent Power) на 500 В і 30 А. Оригінал, корпус TO-3P.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (planar) |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 108 нКл тип. (VDD=250 В, ID=30 А, VGS=0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 333 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
PTW30N50EL – N-канальний планарний польовий транзистор виробництва PIP (Perfect Intelligent Power). За даташитом (PTW30N50EL Rev. B.2017) напруга Vds – 500 В, струм стоку Id – 30 А при Tc 25 °C і 18 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 150 мОм типове і 200 мОм максимальне при VGS=10 В, ID=15 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2.5–4.5 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 108 нКл типове при VDD=250 В, ID=30 А, VGS=0…10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 333 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Vds, Id, Rds(on), Qg і Pd збігаються з даними LCSC. Щоб підібрати заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус TO-3P; при більшому Qg перевірте драйвер затвора. Аналоги в тому ж корпусі з нашого каталогу – у таблиці аналогів. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Драйвери BLDC-двигунів
- Зварювальні апарати
- Високоефективні імпульсні блоки живлення (SMPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FSW25N50A | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 25 ≥ 0.8×30=24, Rds(on) Vgs 10 В max 260 ≤ 1.3×200=260 мОм, корпус TO-3P = TO-3P | Rds(on) на межі допуску; Qg 96 нКл | Купити |
| FHA24N50 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 24 ≥ 0.8×30=24, Rds(on) Vgs 10 В typ 170 ≤ 1.3×150=195 мОм, корпус TO-3P = TO-3P | Id на межі допуску; Qg 83 нКл | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити PTW30N50EL?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з такою самою або вищою напругою Vds, достатнім струмом Id і Rds(on) не гіршим за наш за VGS=10 В. Варіанти з нашого каталогу – у таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого підходить PTW30N50EL?
За даними документа – драйвери BLDC-двигунів, зварювальні апарати та імпульсні блоки живлення (SMPS).
Який струм дає транзистор при нагріві?
Id – 30 А при Tc 25 °C і 18 А при Tc 100 °C. Для розрахунку на реальний режим орієнтуйтесь на значення при Tc 100 °C.
Документація виробника: PTW30N50EL (PIP).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.