Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTP02N03N оригінал, TO220
237,82 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PTP02N03N – N-канальний польовий транзистор PIP у корпусі TO-220, на 30 В і 120 А при 25 °C. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) | 2.6 мОм (тип.), 3.4 мОм (макс.) |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 24 А) | 3.6 мОм (тип.), 4.7 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.7 В (1.0–3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
PTP02N03N – N-канальний MOSFET виробництва PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) у корпусі TO-220. Напруга Vds – 30 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C. Опір Rds(on) при Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C – 2.6 мОм (тип.), до 3.4 мОм (макс.); при Vgs 4,5 В, Id 24 А – 3.6 мОм (тип.), до 4.7 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) – 1.7 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА, діапазон 1.0–3.0 В. Заряд затвора Qg – 88 нКл при Vds 20 В, Id 30 А, Vgs 0–10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 120 Вт при Tc 25 °C, максимальна напруга затвор–витік ±20 В, температура переходу до 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте канал (потрібен N), напругу Vds, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220. Заряд затвора порівнюйте за datasheet: від нього залежить драйвер. Відправляємо Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високоефективні DC/DC перетворювачі
- Мостові ключі для двигунів
- Oring FET, комутація навантаження
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 30, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.2 ≤ 1.3×2.6=3.38 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Vds значно вище | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 30, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.1 ≤ 1.3×2.6=3.38 мОм, корпус TO-220-3L = TO-220 | Vds значно вище | Купити |
| IRFB3206 | канал N = N, Vds 60 ≥ 30, Id(25 °C) 210 (обмеження корпусом 120) ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В typ 2.4 ≤ 1.3×2.6=3.38 мОм, корпус TO-220AB = TO-220 | демонтаж, оригінал | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити PTP02N03N?
Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 30 В, струмом Id близьким до 120 А і Rds(on) при Vgs 10 В близьким до 2.6 мОм. Варіанти з нашого каталогу є в таблиці аналогів. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна керувати PTP02N03N логічним рівнем?
У datasheet Rds(on) наведено при Vgs 4,5 В: 3.6 мОм (тип.), до 4.7 мОм (макс.) при Id 24 А. Порогова напруга Vgs(th) – 1.7 В.
Яка максимальна напруга на затворі?
±20 В між затвором і витоком.
Документація виробника: PTP02N03N (PIP).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.