Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW28N50 оригінал (заміна для SLW28N50C , 28N50C , 28N50P ) , TO-3P
345,92 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PTW28N50 – оригінальний N-канальний MOSFET PIP у корпусі TO-3P, заміна для SLW28N50C, 28N50C, 28N50P. Для BLDC-приводів, зварювання та імпульсних джерел живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | PIP |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 18 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 14 А) | 170 мОм тип., 210 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 78 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
PTW28N50 – N-канальний польовий транзистор виробництва PIP у корпусі TO-3P, виконаний за технологією Advanced Planar Process. Напруга стік–витік Vds – 500 В (BVDSS, VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 28 А при TC = 25 °C і 18 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) – 170 мОм типово і 210 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 14 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 4280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 300 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Заряд затвора Qg – 78 нКл при VDD = 250 В, ID = 28 А, VGS = 0–10 В. Це оригінал, не демонтаж. PTW28N50 може замінити SLW28N50C, 28N50C і 28N50P; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи інші заміни, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) при VGS = 10 В і корпус.
Де застосовують
- Приводи BLDC-двигунів
- Електрозварювання
- Високоефективні імпульсні джерела живлення (SMPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FSW25N50A | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 25 ≥ 0.8×28=22.4, Rds(on) Vgs 10 В max 260 ≤ 1.3×210=273 мОм, корпус TO-3P = TO-3P | Qg 96 нКл проти 78 нКл у PTW28N50 – перевірте драйвер затвора | Купити |
| FHA24N50 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 24 ≥ 0.8×28=22.4, Rds(on) Vgs 10 В typ 170 ≤ 1.3×170=221 мОм, корпус TO-3P = TO-3P | Qg 83 нКл проти 78 нКл у PTW28N50; Id при 100 °C 15 А проти 18 А | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Що може замінити PTW28N50?
PTW28N50 може замінити SLW28N50C, 28N50C і 28N50P. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чим замінити PTW28N50, якщо його немає?
У нашому каталозі з тим самим корпусом TO-3P та близькими параметрами є FSW25N50A і FHA24N50 (список аналогів на сторінці). Заряд затвора в них інший, тому перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого використовують PTW28N50?
За даташитом – для приводів BLDC-двигунів, електрозварювання та високоефективних імпульсних джерел живлення (SMPS).
Документація виробника: PTW28N50 (PIP).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.