Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N12S оригінал, D2PAK
216,20 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
S60N12S – N-канальний польовий транзистор 60 В у корпусі D2PAK (TO-263), оригінал. Для DC-двигунів, DC-DC перетворювачів і BMS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 4.5 мОм типово (Vgs 10 В, Id 40 А; мін. 3.6, макс. 5.4 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (типово 3 В, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 162 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В макс. |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
S60N12S – N-канальний MOSFET виробництва SI-TECH у корпусі D2PAK (TO-263); літера S в номері – код корпусу. Напруга Vds – 60 В (Tc 25 °C). Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C і 76 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 4.5 мОм при Vgs 10 В і Id 40 А (мінімум 3.6, максимум 5.4 мОм). Заряд затвора Qg типово 86 нКл (Vdd 40 В, Vgs 10 В, Id 40 А), порогова напруга Vgs(th) 2.4–3.6 В, типово 3 В (Id 250 мкА). Вхідна ємність Ciss типово 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 162 Вт при Tc 25 °C, діапазон температур переходу -55…+150 °C, напруга затвор-витік до ±25 В.
Товар – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, звіряйте канал (N), напругу Vds, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і заряд затвора Qg. Корпус D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу має збігатися. Відправка: Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування DC-двигунами
- DC-DC перетворювачі
- Системи керування батареями (BMS)
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Автомобільна електроніка
Чим замінити S60N12S?
Підходящих за нашими правилами аналогів у каталозі в цьому корпусі зараз немає. Шукайте N-канальний MOSFET у D2PAK і порівнюйте параметри з даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що означає літера S в S60N12S?
Це код корпусу TO-263 (D2PAK). У документі серія S60N12R/S/RN/RP, де літера в кінці номера позначає корпус.
Чи підходить для BMS та керування двигунами?
Так, у документі як застосування вказано керування DC-двигунами, BMS, DC-DC перетворювачі, SMPS і автомобільну електроніку.
Документація виробника: S60N12S (SI-TECH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.