Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150S оригінал, D2PAK
103,40 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RUH1H150S – оригінальний N-канальний MOSFET виробництва Ruichips у корпусі D2PAK (TO-263). Використовується в приводах двигунів, DC/DC перетворювачах і джерелах безперебійного живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 150 А (VGS 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 106 А (VGS 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл (VDS 80 В, VGS 10 В, ID 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Пряма напруга діода | 1,2 В макс. (ISD 75 А, VGS 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 36 нс (ISD 75 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
RUH1H150S – N-канальний MOSFET виробництва Ruichips у корпусі D2PAK (TO-263). Напруга стік–витік Vds 100 В при VGS 0 В, ID 250 мкА. Струм стоку Id 150 А при VGS 10 В, Tc 25 °C (обмеження корпусом 75 А) і 106 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 3,8 мОм типове, 4,5 мОм максимум при VGS 10 В, ID 75 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Заряд затвора Qg 87 нКл при VDS 80 В, VGS 10 В, ID 75 А. Вхідна ємність Ciss типово 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Потужність Pd 200 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 175 °C. Вбудований діод: пряма напруга до 1,2 В при ISD 75 А, час зворотного відновлення trr 36 нс при dI/dt 100 А/мкс.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vds не нижче 100 В, Id і Rds(on) не гірше при VGS 10 В. Якщо заряд затвора Qg значно більший, перевірте драйвер. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- приводи двигунів
- джерела безперебійного живлення
- DC/DC перетворювачі
- загальне застосування
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити RUH1H150S?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vds не нижче 100 В, Id і Rds(on) не гірші при VGS 10 В. Порівнюйте datasheet, взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Чи можна брати 150 А як робочий струм?
Ні: 150 А вказано при Tc 25 °C, а корпус обмежує струм до 75 А. При Tc 100 °C струм стоку 106 А.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
У режимі прозвонки діодів вбудований діод між стоком і витоком має вести в один бік і не вести в інший. Затвор відносно інших виводів провідності не має.
Документація виробника: RUH1H150S (Ruichips).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.

Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.