Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор RS18N50F оригінал , TO220F

141,00 ₴

51 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

51 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

RS18N50F – оригінальний N-канальний польовий транзистор REASUNOS на 500 В і 18 А у корпусі TO-220F. Застосовується в імпульсних блоках живлення, UPS і схемах PFC.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В при Tc 25 °C
Струм стоку Id18 А при Tc 25 °C
Імпульсний струм Idm72 А
Rds(on)0.34 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 9 А (тип. 0.28 Ом)
Заряд затвора Qg39.5 нКл при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2415 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2–4 В при Vgs=Vds, Id 250 мкА
Потужність Pd39 Вт при Tc 25 °C
Макс. Tj150 °C
trr310 нс при Is 18 А, di/dt 100 А/мкс
Vgs±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникREASUNOS
СтанОригінал
Опис

RS18N50F – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва REASUNOS у корпусі TO-220F. Напруга стік–витік Vds – 500 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 18 А при Tc 25 °C, імпульсний Idm – 72 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0.34 Ом при Vgs 10 В і Id 9 А (типове значення 0.28 Ом). Заряд затвора Qg – 39.5 нКл при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2415 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при Vgs=Vds, Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 39 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – 310 нс при Is 18 А, di/dt 100 А/мкс.

Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, заряд затвора Qg і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Імпульсні джерела живлення (SMPS)
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити RS18N50F?

Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, зі струмом Id і Rds(on) при Vgs 10 В не гіршими за наведені вище. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.

Як перевірити MOSFET мультиметром?

Виміряйте опір між стоком і витоком у обидва боки: у справного транзистора діод корпусу проводить в один бік. Між затвором і двома іншими виводами опір має бути дуже великим.

Чи підходить RS18N50F для PFC та імпульсних блоків живлення?

Так, ці застосування названі в документації: SMPS, UPS і PFC. Для таких схем дивіться на Rds(on), Qg і trr вбудованого діода.

Datasheet

Документація виробника: RS18N50F (REASUNOS).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

RS18N50F (REASUNOS) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.