Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор RU6099R ( RU6099 , RU6099R3 ) оригінал , TO220

164,50 ₴

18 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

18 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

RU6099R (RU6099, RU6099R3) – потужний N-канальний MOSFET Ruichips у корпусі TO-220, оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга стік-витік Vdss60 В
Тривалий струм стоку Id120 А (Tc 25 °C, радіатор); 90 А за Tc 100 °C
Rds(on) за Vgs 10 В, Ids 40 А6.0 мОм тип. / 7.0 мОм макс.
Порогова напруга Vgs(th)2 мін. / 3 тип. / 4 макс. В
Заряд затвора Qg72 тип. / 105 макс. нКл
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт за Tc 100 °C
Максимальна температура переходу Tj175 °C
Пряма напруга діода Vsd0.83 тип. / 1.1 макс. В (Isd 20 А)
Час відновлення діода trr50 нс (Isd 40 А)
КорпусTO-220FB-3L
Корпус (докладно)TO-220 (TO-220FB-3L)
СтанОригінал
Опис

RU6099R (RU6099, RU6099R3) – потужний N-канальний MOSFET виробництва Ruichips у корпусі TO-220. Напруга стік-витік Vdss – 60 В (Vgs=0 В, Ids 250 мкА, TA 25 °C), тривалий струм стоку Id – 120 А на великому радіаторі за Tc 25 °C (90 А за Tc 100 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) – 6.0 мОм тип. / 7.0 мОм макс. за Vgs 10 В, Ids 40 А; ці параметри та корпус підтверджені другим джерелом (LCSC). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, заряд затвора Qg – 72–105 нКл. Розсіювана потужність Pd – 200 Вт за Tc 25 °C (150 Вт за Tc 100 °C), максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Товар – оригінал, перевірка перед відправкою. Транзистор має вбудований зворотний діод: пряма напруга Vsd – 0.83 В тип. / 1.1 В макс. за Isd 20 А, час відновлення trr – 50 нс за Isd 40 А. Перед встановленням звірте маркування на корпусі з номером RU6099R (RU6099, RU6099R3): літера в кінці маркування визначає виконання корпусу – R (TO-220), S (TO-263) або P (TO-220F). Підбираючи заміну, орієнтуйтеся на Vdss не нижче 60 В, Id не нижче 120 А і Rds(on) не вище 7.0 мОм за тих самих умов вимірювання. Застосування: системи комутації (Switching Application Systems), інверторні системи (Inverter Systems).

Де застосовують

  • Switching Application Systems (системи комутації)
  • Inverter Systems (інверторні системи)
Часто питають
Який тривалий струм стоку у RU6099R?

120 А на великому радіаторі за Tc 25 °C; за Tc 100 °C – 90 А, за даними виробника.

Чим замінити RU6099R?

Перевірених аналогів у каталозі на момент публікації немає; підбирайте за Vdss не нижче 60 В, Id не нижче 120 А і Rds(on) не вище 7.0 мОм у корпусі TO-220.

Чи є вбудований зворотний діод?

Так, пряма напруга Vsd – 0.83 В тип. / 1.1 В макс. за Isd 20 А, час відновлення trr – 50 нс за Isd 40 А.

Це оригінал чи демонтаж?

Оригінал.

Datasheet

Документація виробника: RU6099 N-Channel Advanced Power MOSFET, Ruichips.

Статус виробництва (active/eol) від Ruichips не підтверджено – LCSC показує лише відсутність на складі. Позначення RU6099R3 з назви товару в datasheet не зустрічається (там лише RU6099 + літера пакування R/S/P). Дата й номер ревізії документа не вказані.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

RU6099 N-Channel Advanced Power MOSFET, Ruichips Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.