Транзистори
Транзистор FDP8896 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 92 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 35 А) | 5,0 мОм (тип.), 5,9 мОм (макс.) |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 35 А) | 6,0 мОм (тип.), 7,0 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1,2–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.), 67 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2525 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd | 80 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF12N50NZ ( 12N50NZ ) оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (UniFET II) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11,5 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,46 Ом typ., 0,52 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5,75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF12N50UT ( 12N50UT ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (UniFET Ultra FRFET) |
| Напруга Vds (TC = 25 °C) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 6 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) | 0.8 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 21 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 42 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF18N50 оригінал ( заміна для FQPF18N50 ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C), 10.8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.220 Ом тип. / 0.265 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. / 60 нКл макс. (Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 58 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF33N25T , TO220F
В наявності
68,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | N-канальний MOSFET, UniFET |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 250 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, Tj 25 °C, мін.) |
| Струм стоку Id | 33 А (Tc 25 °C) |
| Id (Tc 100 °C) | 20.4 А |
| Імпульсний струм Idm | 132 А |
| Rds(on) макс. | 0.094 Ом (Vgs 10 В, Id 16.5 А) |
| Qg | 36.8 нКл тип., 48 нКл макс. (Vds 200 В, Id 33 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1640 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Pd | 37 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgss | ±30 В |
Демонтаж
Транзистор FDPF33N25T ( 33N25T ) оригінал демонтаж , TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TJ = 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 33 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 20,4 А |
| Опір Rds(on) | 94 мОм макс., VGS = 10 В, ID = 16,5 А (типово 77 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 36,8 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1640 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | до 5,0 В (макс.) |
| Потужність Pd | 37 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDPF51N25 ( 51N25 ) оригінал демонтаж , TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (TC=25 °C) | 51 А |
| Струм стоку Id (TC=100 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм стоку | 204 А |
| Опір Rds(on) | 48 мОм (VGS=10 В, ID=25.5 А, тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) макс. | 5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 38 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF5N50UT ( 5N50UT ) оригінал, TO220F
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (UniFET Ultra FRFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 4 А (Tc 25 °C); 2.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) типовий | 1.65 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Опір Rds(on) максимальний | 2 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 11 нКл типовий (Vds 400 В, Id 4 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Час відновлення діода trr | менше 50 нс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDS4935A (30V,7A,2W,0.035R)
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний P-канал |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм стоку Id (Ta 25 °C) | -7 А |
| Імпульсний струм Id | -30 А |
| Rds(on) тип. (Vgs -10 В, Id -7 А) | 19 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -7 А) | 23 мОм |
| Rds(on) тип. (Vgs -4,5 В, Id -5,5 А) | 28 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs -4,5 В, Id -5,5 А) | 35 мОм |
| Заряд затвора Qg | 15 нК (макс. 21 нК) |
| Вхідна ємність Ciss | 1233 пФ (f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | -1…-3 В |
| Потужність Pd (обидва, Ta 25 °C) | 2 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор FDS8958A , so-8
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Q1 N-канал + Q2 P-канал |
| Напруга Vdss Q1 | 30 В |
| Напруга Vdss Q2 | -30 В |
| Струм стоку Id Q1 | 7 А |
| Струм стоку Id Q2 | -5 А |
| Імпульсний струм Id (Q1 / Q2) | 20 / -20 А |
| Rds(on) Q1 тип. / макс. (Vgs 10 В, Id 7 А) | 19 / 28 мОм |
| Rds(on) Q1 тип. / макс. (Vgs 4,5 В, Id 6 А) | 24 / 40 мОм |
| Rds(on) Q2 тип. / макс. (Vgs -10 В, Id -5 А) | 42 / 52 мОм |
| Rds(on) Q2 тип. / макс. (Vgs -4,5 В, Id -4 А) | 65 / 80 мОм |
| Заряд затвора Qg Q1 тип. / макс. | 11,4 / 16 нК |
| Потужність Pd (обидва, Ta 25 °C) | 2 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор FDS9435A ( APM9435A ) (30V,5.3A,0.05R)
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, P-канал, PowerTrench |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdss | -30 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±25 В (TA 25 °C) |
| Струм Id, постійний | -5.3 А (TA 25 °C) |
| Струм Id, імпульсний | -50 А (TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 42 мОм тип., 50 мОм макс. (Vgs -10 В, Id -5.3 А, TA 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 10 нКл тип., 14 нКл макс. (Vds -15 В, Id -4 А, Vgs -10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 528 пФ (f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
Транзистор FDS9926A ( AP9926GM ) (20V,6.5A,2W)
В наявності
31,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний MOSFET, N-канал, PowerTrench, 2.5 V specified |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdss | 20 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±10 В (TA 25 °C) |
| Струм Id, постійний | 6.5 А (TA 25 °C) |
| Струм Id, імпульсний | 20 А (TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 30 мОм (Vgs 4.5 В, Id 6.5 А); 43 мОм (Vgs 2.5 В) |
| Заряд затвора Qg | 6.2 нКл тип., 9 нКл макс. (Vds 10 В, Id 3 А, Vgs 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 650 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
Транзистор FDT3N40 (400V,2A,3.4R) , sot223
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 2,0 А (Tc 25 °C); 1,2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Заряд затвора Qg | 4,5 нКл тип. (VDS = 320 В, ID = 2 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 173 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Транзистор FDT86106LZ ( 86106LZ )(100V,3.2A) , sot223
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Напруга Vds | 100 В (TC = 25 °C) |
| Струм Id | 3.2 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 108 мОм (Vgs = 10 В, Id = 3.2 А) |
| Rds(on) макс. (4.5 В) | 153 мОм (Vgs = 4.5 В, Id = 2.7 А) |
| Vgs(th) | 1.0 мін. / 1.5 тип. / 2.2 макс. В (Id = 250 мкА) |
| Pd | 2.2 Вт (TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 234 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | SOT-223 |
Демонтаж
Транзистор FGA40N65SMD оригінал, TO-3P ( заміна для FGH40N65UFD , MP40N65BU , MP40N65BH )
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1,9 В (тип.), 2,5 В (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FGA60N60UFD ( FGA60N60 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 298 Вт (Tc 25 °C); 119 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±20 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.0–6.5 В (IC = 250 мкА, VCE = VGE) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGA60N65SMD оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм IC (25 °C) | 120 А |
| Струм IC (100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм ICM | 180 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.5 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 600 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGA60N65SMD оригінал, TO-3P
В наявності
289,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А при Tc 25 °C; 60 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,9 В типово (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 600 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл типово (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGD4536 , D-PAK
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Корпус (докладно) | TO-252 (D-PAK), виводи G, C, E |
| Напруга Vces | 360 В (VGE = 0) |
| Імпульсний струм Icp | 220 А (TC = 25 °C, імпульс < 1 мс) |
| Vce(sat) | 1.59 В при IC = 50 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C |
| Vge(th) | 3.3 В (IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл (VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | немає |
Демонтаж
Транзистор FGD4536 оригінал демонтаж б/в, D-PAK
В наявності
152,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vces | 360 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Імпульсний струм колектора | 220 А (TC = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,59 В (макс. 1,8 В) при VGE = 15 В, IC = 50 А, TC = 25 °C |
| Qg | 47 нКл (VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 125 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGH40N60SMD оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm (TC = 25 °C) | 120 А |
| Vce(sat) (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) | 1,9 В тип., 2,5 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC = 25 °C) | 349 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FGH50T65 ( FGH50T65UPD , FGH50T65SQD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 100 А (Tc = 25 °C), 50 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (Ic = 50 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Pd | 340 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Qg | 230 нКл тип. (Vce = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3450 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGH60N60SMD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Vce(sat) (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) | 1.9 В (тип.), 2.5 В (макс.) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 600 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGH60N60UFD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic | 120 А при Tc 25 °C; 60 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,9 В типово (IC 60 А, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 298 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 188 нКл (VCE 400 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGH75T65 ( FGH75T65SQDT ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH75T65SQD , FGH75T65SHD , FGH75T65SHDT , FGH75T65MQDT , FGH75T65UPD ), TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench 4-го покоління, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм IC (25 °C) | 150 А |
| Струм IC (100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм ICM | 300 А |
| Vce(sat) | 1.6 В тип., 2.1 В макс. (IC = 75 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 128 нКл (VCE = 400 В, IC = 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 4845 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGPF70N33 ( FGPF70N33BT ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 330 В |
| Імпульсний струм колектора Ic (імп.) | 160 А (TC 25 °C; імпульс 100 мкс, шпарність 0,1) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В (typ., Ic 70 А, Vge 15 В, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл (typ., Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1380 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N50 оригінал , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 20 А (Tc 25 °C), 12,9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,26 Ом макс. (типово 0,21 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA24N50 оригінал, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | FEIHONG |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А |
| Rds(on) | 0.170 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 83 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5070 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 312.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA26N50A ( FHA26N50 , 26N50A , 26N50 , A26N50 ) оригінал , TO-3P
В наявності
170,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,15 Ом типово, 0,24 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл типово, 120 нКл максимум (Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 26 А) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA28N50 ( 28N50 ) оригінал , TO-3P
В наявності
119,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 28 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 16.8 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.14 Ом тип., 0.18 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. (Vds 400 В, Id 28 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4085 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 479 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA60T65C2DH ( FHA60T65 ) оригінал, TO-3P
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Feihong |
| Тип | IGBT-транзистор (Trench Field Stop) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 60 А |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 465 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 254 нКл (VCE 520 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF10N60 оригінал ( Заміна для FQPF10N60C , FDPF10N60NZ , TMPF10N60 , RS10N60F , TSF10N60M , TF10N60 , AOTF10N60 , HM10N60F , 10NM60N , STP10NM60N , STF10NM60N , IPA50R800CE , 2SK2645 ), TO220F
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6.2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.68 Ом тип., 0.85 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5 А) |
| Qg | 37.2 нКл тип. (Vds 480 В, Id 5 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |