Магазин
Діодний міст D25SB80
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 800 В |
| Прямий струм If(AV) | 25 А |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (при 12,5 А) |
| Корпус | SIP-4P |
| Робоча температура | -55…+150 °C |
Діодний міст D25SB100 (Заміна для D20SB100 )
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrm | 1000 В |
| Середній струм Io (на тепловідводі) | 25 А (Tc 98 °C) |
| Середній струм Io (без тепловідводу) | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Піковий ударний струм Ifsm | 350 А |
| Пряма напруга Vf | 1,1 В (при 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга | 2,5 кВ |
| Корпус | SIP (D5-25SB, ~30,3×20,3 мм) |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXFH24N50 ( FH24N50 , IXFH24N50Q , FH24N50Q ) оригінал демонтаж, TO247 б/в
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (Littelfuse) |
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 96 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 4 мА) |
| Vgs | ±20 В постійна; імпульсна ±30 В |
| Qg(on) | 135 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор ON 2SK4125 ( K4125 ) оригінал демонтаж, TO-3P б/в
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (V(BR)DSS, Id 10 мА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 17 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Rds(on) | 0.47 Ом типово, 0.61 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7 А) |
| Vgs(off) | 3–5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл (Vds 200 В, Vgs 10 В, Id 17 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Tc 25 °C); у повітрі 2.5 Вт |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор ST STW11NK100Z ( W11NK100Z ) оригінал демонтаж, TO247 б/в
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 1000 В (Vgs 0 В, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 8.3 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 5.2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) типово | 0.83 Ом (Vgs 10 В, Id 4.15 А) |
| Rds(on) макс. | 1.38 Ом (Vgs 10 В, Id 4.15 А) |
| Vgs(th) | 3.75 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 113 нКл (Vdd 800 В, Id 8 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод SF1608PT оригінал демонтаж, TO247-3pin б/в
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод надшвидкий, здвоєний, спільний катод |
| Виробник | Taiwan Semiconductor |
| Корпус | TO-247AD (TO-3P), 3 виводи |
| Vrrm | 600 В |
| IF | 16 А на прилад |
| Ifsm | 150 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Vf | 1.70 В (макс.) при IF 8 А на діод, TJ 25 °C |
| trr | 35 нс при IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irr 0,25 А |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор PTF30N50EL оригінал, TO247 б/в
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 30 А (Tc = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (Vgs = 10 В) |
| Потужність Pd | 333 Вт (Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 108 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRGP30B120KD-E ( IRGP30B120KD , GP30B120KD , GP30B120KD-E ) оригінал, TO247 б/в
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Vce(on) (IC 25 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) | 2.28 В |
| Заряд затвора Qg | 169 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MP40N65BU ( MPBW40N65BU ) оригінал (заміна для MP40N65BH , MPBW40N65BH ), TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Marching Power (Xinchangzheng) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 650 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, IC 40 А, Tj 25 °C) | 1.9 В |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3155 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IR IRGP4066D-E ( IRGP4066D ) оригінал, TO247 б/в
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 140 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 90 А |
| Номінальний струм | 75 А |
| Vce(on) типово | 1.70 В (IC = 75 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Потужність Pd | 454 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | вбудований, ultrafast soft recovery |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 30N60FL ( NGTB30N60FLWG , 30N60FL2 , NGTB30N60FL2WG ), TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, IC 30 А, TJ 25 °C) | 1.65 В |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4200 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXGH32N60AU1 ( IXGH32N60CD1 ) оригінал, TO-247 б/в
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 90 °C) | 32 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.9 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.5–5.5 В (IC 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий (FRED), антипаралельний |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXGH32N60B ( IXGH32N60A , IXGH32N60C ) оригінал, TO-247 б/в
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 90 °C) | 32 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.5 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.5–5 В (IC 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод Шоттки IR 42CTQ030S , TO263
В наявності
132,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки, здвоєний зі спільним катодом |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay (IR) |
| Vrrm | 30 В |
| Середній прямий струм на плече | 20 А (50 % duty, Tc 121 °C) |
| Середній прямий струм на прилад | 40 А (50 % duty, Tc 121 °C) |
| Vf на плече | 0.48 В (If 20 А, Tj 25 °C) |
| Ir на плече | 3 мА (Vr = 30 В, Tj 25 °C) |
| Ifsm на плече | 360 А (10 мс, синус) |
| Tj і Tstg | -55…+150 °C |
Демонтаж
Транзистор IR AUIRFS4010-7 ( IRFS4010-7 ) оригінал, D2PAK-7pin б/в
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N, HEXFET, Automotive |
| Напруга Vdss | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 190 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В); 130 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм макс.; тип. 3.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 110 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл тип. (ID = 110 А, VDS = 50 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9830 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 380 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.40 °C/Вт макс. |
| Діапазон Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRF1324S-7P ( F1324S-7P ) оригінал, D2PAK-7Pin б/в
В наявності
245,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N, HEXFET |
| Напруга Vdss | 24 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (кремній) | 429 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В); 303 А (TC = 100 °C) |
| Струм стоку Id (корпус) | 240 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 1.0 мОм макс.; тип. 0.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 160 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл тип. (ID = 75 А, VDS = 12 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7700 пФ (Vds 19 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BUK138-50DL ( BUK138 ) оригінал, DPAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP, тепер Nexperia) |
| Тип каналу | N, логічний рівень входу 5 В |
| Напруга Vds | 50 В |
| Струм стоку Id | 8 А (VIS = 5 В; Tmb = 110 °C) |
| Опір Rds(on) | 100 мОм макс. (Quick reference) |
| Розсіювана потужність Pd | 40 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод 15ETH06S ( 15ETX06S ) оригінал, TO263 б/в
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод надшвидкий (hyperfast), одиночний |
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | D2PAK |
| Vrrm | 600 В |
| If(av) | 15 А при Tc 140 °C |
| Ifsm | 120 А при Tj 25 °C |
| Vf | 2.2 В (макс.) при If 15 А, Tj 25 °C |
| trr | 30 нс (макс.) при If 1 А, dIf/dt 100 А/мкс, Vr 30 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SanKen 2SA1673 + 2SC4388 оригінали, TO3PF б/в
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип 2SA1673 | PNP |
| Корпус | TO-3PF |
| Напруга Vceo (2SA1673) | -180 В |
| Напруга Vcbo (2SA1673) | -180 В |
| Напруга Vebo (2SA1673) | -6 В |
| Струм Ic (2SA1673) | -15 А |
| Потужність Pc (2SA1673) | 85 Вт при Tc = 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE (2SA1673) | від 50 при Vce = -4 В, Ic = -3 А |
| Гранична частота fT (2SA1673) | 20 МГц, тип., при Vce = -12 В, Ie = 0,5 А |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SanKen 2SD2562+2SB1649 оригінали, TO3PF б/в
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип 2SD2562 | NPN Дарлінгтон |
| Комплемент | 2SB1649 (PNP) |
| Напруга Vcbo | 150 В |
| Напруга Vceo | 150 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 15 А |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Потужність Pc | 85 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | 5000 мін. (Vce = 4 В, Ic = 10 А) |
| Vce(sat) | 2,5 В макс. (Ic = 10 А, Ib = 10 мА) |
| fT | 70 МГц тип. (Vce = 12 В, Ie = 2 А) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Сімістор ST BTA16-600B оригінал( BTA16-600BW )(16A,600V,50mA), ТО220
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Напруга Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 16 А (Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм відкривання Igt | 50 мА макс. (чотири значення 50/50/50/70 мА, VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга Vtm | 1.5 В макс. (Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 1200 В/мкс мін. (VD 400 В, Tj 125 °C) |
| Струм утримання Ih | 60 мА макс. (IT 200 мА, Tj 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.0 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ON MJE15032G+MJE15033G оригінали, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | MJE15032 – NPN, MJE15033 – PNP |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo | 250 В |
| Напруга Vcb | 250 В |
| Напруга Veb | 5,0 В |
| Струм Ic (постійний) | 8,0 А |
| Струм Ic (імпульсний) | 16 А |
| Струм бази Ib | 2,0 А |
| Потужність Pd | 50 Вт при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 0,5 В (макс.) при Ic 1,0 А, Ib 0,1 А |
| hFE | 70 (мін.) при Ic 0,5 А, Vce 5,0 В |
| Гранична частота fT | 30 МГц (мін.) при Ic 500 мА, Vce 10 В |
| Температура Tj, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Infineon K15T60 ( IKA15N60T ) оригінал (заміна для K10T60 , IKA10N60T ), TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 18,3 А (Tc 25 °C); 10,6 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Ic | 45 А |
| Vce(sat) тип. | 1,5 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Vce(sat) макс. | 2,05 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Ptot | 35,7 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 860 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS) |
| Антипаралельний діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Маркування | K15T60 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Fair 00211 оригінал, DPAK
В наявності
192,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип приладу | IGBT |
| Виробник | Fairchild (за назвою товару) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор XNF15N60T оригінал, TO220F
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic | 15 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В (typ., Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.5 В (typ., Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Антипаралельний діод | є |
| Виробник | Xiner |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IR IRG4PF50WD ( G4PF50WD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип приладу | IGBT |
| Виробник | IR (International Rectifier, тепер Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування | G4PF50WD |
| Вхідна ємність Cies | 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRG4PF50W ( G4PF50W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип | IGBT n-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 900 В |
| Струм Ic | 51 А (Tc 25 °C); 28 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 204 А |
| Vce(on) | 2,25 В тип., 2,7 В макс. (Ic 28 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип. (Ic 28 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRGPS40B120U ( GPS40B120U ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | IGBT n-канал, UltraFast, Non Punch Through |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Vce(on) | 3,12 В тип., 3,40 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 340 нКл тип. (Ic 40 А, Vcc 600 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vcc 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–емітер Vge | ±20 В |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор Infineon H40RF60 ( IHW40N60RF ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT n-канал, Trench Stop, зі зворотною провідністю |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C, обмежено Tvj max); 40 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icpuls | 120 А |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,40 В макс. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 305 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2400 пФ |
| Температура переходу | -40…+175 °C |
| Вбудований діод | є, монолітний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор Infineon K40H603 оригінал ( IKW40N60H3 ) , TO247
В наявності
291,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT N-канал з антипаралельним діодом (H3, Trench + Field Stop) |
| Напруга Vce | 600 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (TC = 25 °C), 40 А (TC = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.95 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 223 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2190 пФ |
| Час спаду tf | 21 нс |
| Eoff | 0.58 мДж |
| Vf діода | 1.65 В (IF = 20 А) |
| trr діода | 124 нс |
| Потужність | 306 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод Fuji D92-02 ( ESAD92-02 ) оригінал ( заміна для FFA20U20DN , F20U20DN ), TO-3P
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод ультрашвидкий, здвоєний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А на діод (20 А на пристрій) |
| Пряма напруга Vf | 0,95 В макс. (If 10 А, Tc 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 35 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, –dI/dt 50 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Може замінити | FFA20U20DN, F20U20DN |
| Стан | Оригінал |
Діод Fair RHRG30120 оригінал, TO247-2pin
В наявності
220,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод надшвидкий (hyperfast), одиночний |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 1200 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (Tc 120 °C) |
| Пряма напруга Vf | 3,2 В макс. (If 30 А, Tc 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 85 нс макс. (If 30 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247-2 |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR1660CTR , загальний анод ( Заміна для MUR1660CA , MUR1660CTA , MUR1640CA , MUR1640CTA , MUR1640CTR , MOSPEC F12C40A , MOSPEC F12C60A) TO220-3pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм на діод (Rated VR, TC = 150 °C) | 8.0 А |
| Середній прямий струм, весь прилад (Rated VR, TC = 150 °C) | 16 А |
| Ударний прямий струм Ifsm (півхвиля, 60 Гц) | 100 А |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 150 °C) | 1.20 В |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 25 °C) | 1.50 В |
| Час відновлення trr (IF = 1.0 А, di/dt = 50 А/мкс) | 60 нс |
| Температура переходу Tj і зберігання Tstg | -65…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Конфігурація | загальний анод |
Діод WG MURF1660CTR оригінал (заміна для MUR1660FCA ), TO220F-3pin загальний анод
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм на діод (Rated VR, TC = 150 °C) | 8.0 А |
| Середній прямий струм, весь прилад (Rated VR, TC = 150 °C) | 16 А |
| Ударний прямий струм Ifsm (півхвиля, 60 Гц) | 100 А |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 150 °C) | 1.20 В |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 25 °C) | 1.50 В |
| Час відновлення trr (IF = 1.0 А, di/dt = 50 А/мкс) | 60 нс |
| Температура переходу Tj і зберігання Tstg | -65…+175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Конфігурація | загальний анод |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF1660CT оригінал (заміна для MUR1660FCT ), TO220F-3pin загальний катод
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм на діод (Rated VR, TC = 150 °C) | 8.0 А |
| Середній прямий струм, весь прилад (Rated VR, TC = 150 °C) | 16 А |
| Ударний прямий струм Ifsm (півхвиля, 60 Гц) | 100 А |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 150 °C) | 1.20 В |
| Пряма напруга Vf на діод (iF = 8.0 А, TC = 25 °C) | 1.50 В |
| Час відновлення trr (IF = 1.0 А, di/dt = 50 А/мкс) | 60 нс |
| Температура переходу Tj і зберігання Tstg | -65…+175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Конфігурація | загальний катод |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VS1401ATH ( 1401ATH ) оригінал ( заміна для KS12015T , KS12015CAT ) , TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vanguard Semiconductor |
| Позначення | VS1401ATH |
| Маркування | 1401ATH |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 200 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 142 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 14755 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG006N04 ( G006N04 , HYG006N04LS1TA ) оригінал(40V/600A), TOLL
В наявності
138,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Позначення | HYG006N04 |
| Маркування | G006N04 |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TOLL |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 600 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 424 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 0.45 мОм тип., 0.60 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 428 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 15400 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1B6 ) оригінал, TO263-6
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Позначення | HYG028N10NS1B6 |
| Маркування | G028N10 |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-263-6L |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 230 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 162 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 2.4 мОм тип., 3.1 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G032N08 ( HYG032N08 , HYG032N08NS1P , G032N08P ) оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds (Vgs 0 В, Tj 25 °C) | 80 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 127.3 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 3.0 мОм (макс. 3.4 мОм) |
| Qg (Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А) | 118 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7520 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 220.6 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG035N10 ( HYG035N10NS2P , G035N10 ) оригінал, TO220
В наявності
73,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 127 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Id=50 А) | 3.2 мОм (макс. 4.0 мОм) |
| Qg (Vds=80 В, Vgs=10 В) | 115 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7270 пФ (Vds 50 В, f 500 кГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 220 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |