Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор VS1401ATH ( 1401ATH ) оригінал ( заміна для KS12015T , KS12015CAT ) , TO220

237,82 ₴

7 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

7 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

VS1401ATH (1401ATH) – N-канальний MOSFET на 100 В і 200 А у корпусі TO220. Оригінал, не демонтаж; може замінити KS12015T, KS12015CAT.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникVanguard Semiconductor
ПозначенняVS1401ATH
Маркування1401ATH
ТипMOSFET N-канал
КорпусTO-220
Напруга Vds100 В
Струм Id (Tc 25 °C)200 А
Струм Id (Tc 100 °C)142 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А)4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс.
Потужність Pd (Tc 25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Ciss14755 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

VS1401ATH (маркування 1401ATH) – N-канальний MOSFET Vanguard Semiconductor у корпусі TO220. Напруга стік–витік Vds – 100 В при Vgs 0 В, Tj 25 °C. Струм стоку Id – 200 А при Tc 25 °C і 142 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4.5 мОм типово і 5.5 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C. Розсіювана потужність – 375 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 14755 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц).

Товар оригінальний, не демонтаж. VS1401ATH може замінити KS12015T і KS12015CAT, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору іншої заміни порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і заряд затвора Qg (232 нКл при Vds 50 В, Id 40 А, Vgs 10 В). Корпус TO220 і розпіновка мають збігатися. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи може VS1401ATH замінити KS12015T?

Так, VS1401ATH може замінити KS12015T і KS12015CAT. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чим замінити VS1401ATH?

Шукайте N-канальний транзистор у корпусі TO220 з Vds не нижче 100 В, Id не менше 200 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 5.5 мОм при Vgs 10 В. Розпіновку звіряйте з datasheet.

Яка максимальна напруга на затворі?

Напруга затвор–витік Vgs – ±25 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В при Id 250 мкА.

Datasheet

Документація виробника: VS1401ATH (Vanguard Semiconductor).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

VS1401ATH (Vanguard Semiconductor) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.