Магазин
Транзистор IRFB3206 оригінал ( заміна для YH3206 ) , TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 210 А обмежено кремнієм, 120 А обмежено виводами (VGS = 10 В, TC = 25 °C); 150 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2,4 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Qg | 120 нКл тип., 170 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PN7113W , so8
В наявності
192,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | драйвер затворів MOSFET/IGBT |
| Виробник документа | Chipown (PN7113) |
| Напруга плаваючого каналу | до 600 В |
| Вихідний струм | 3.0 А |
| Живлення драйвера | 10–20 В |
| Живлення логіки | 3.3–20 В |
| Робоча частота | до 100 кГц |
| Корпус | SO-8 |
Демонтаж
Транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,9 В (тип.) при IC 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C |
| Час спаду tf | 0,15 мкс (тип.), 0,35 мкс (макс.) |
| Вбудований діод | є, RC-IGBT |
| Пряма напруга діода Vf | 1,7 В (тип.), 2,7 В (макс.) при IF 15 А |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 4500 пФ |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRG4PC50W ( G4PC50W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
256,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT N-канал, без вбудованого діода |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 55 А (Tc 25 °C); 27 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 220 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 2.25 В тип., 2.3 В макс. (IC = 27 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C); 78 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3700 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CS20N50F оригінал (Заміна для CS20N50FF ) , TO220F
В наявності
59,69 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 20 А (TC = 25 °C); 12,5 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS19N40F оригінал, TO220F
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 400 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 19 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12 А (TC=100 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом тип., 0,30 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (ID=19 А, VDD=320 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 33 Вт (TC=25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW20N50D оригінал, TO220F
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 13 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,25 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 42 Вт |
| Заряд затвора Qg | 82 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4530 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5…4,5 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE80H12 оригінал, TO220
В наявності
61,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В |
| Rds(on) тип. | 4.9 мОм (VGS=10 В, ID=40 А; макс. 6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg тип. | 163 нКл (VDS=30 В, ID=30 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| trr діода тип. | 42 нс (TJ=25 °C, IF=40 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Комплект 6шт CRST041N08N оригінал, TO220
В наявності
410,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Кількість у комплекті | 6 шт |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id | 120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом), 109 А (TC=100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) тип. | 3.4 мОм (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 208 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6050 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50H603 оригінал ( IKW50N60H3 ) , TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В (тип.), 2,30 В (макс.) при IC 50 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 315 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2960 пФ |
| Потужність розсіювання Ptot | 333 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB4310 оригінал ( заміна для IRFB4310Z , FB4310Z ) , TO220
В наявності
137,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (TA=25 °C) |
| Струм стоку Id | 110 А |
| Rds(on) тип. | 8 мОм (VGS=10 В, ID=55 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 8050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP50N20R оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 200 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id | 50 А (TC=25 °C), 38.5 А (TC=100 °C) |
| Rds(on) тип. | 42 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2819 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRGPC50U оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 55 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 27 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,9 В (тип.) при IC 27 А, VGE 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHP20N50 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Feihonltd |
| Напруга Vds | 500 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А |
| Опір Rds(on) | 0.2 Ом тип., макс. 0.26 Ом (VGS = 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 5.0 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл тип., 65 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100 оригінал, TO-3PH
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | MASPOWER |
| Напруга Vds | 1000 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 5 А (Tc 25 °C), 3 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,5 Ом тип., 4,5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 74 Вт (Tc 25 °C, TO-3PH) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30TD60B оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Виробник | NCE Power |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| VCE(sat) тип. | 1,7 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 132 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3552 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 190 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50D оригінал ( заміна для FQA24N50 , FQA24N50F , FDA24N50 , SVF23N50 , 23N50 ), TO-3P
В наявності
134,89 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 200 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T60AN3S ( CRG40T60AN3S ) оригінал, TO3P
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,8 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 280 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST G60H65DFB ( GWA60H65DFB , STGWA60H65DFB ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Номер | STGWA60H65DFB |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 100 °C); 80 А (Tc 25 °C, обмежено виводами) |
| Імпульсний струм колектора | 240 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип., 2 В макс. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 306 нКл (Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | вбудований, дуже швидкий з м’яким відновленням |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP265KG оригінал, eSOP-12
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-JX |
| Напруга DRAIN (пікова) | 725 В |
| Струм DRAIN (піковий) | 2.72 А (TOP265) |
| Rds(on) при TJ 25 °C | 4.1 Ом тип. / 4.70 Ом макс. (ID 200 мА) |
| Rds(on) при TJ 100 °C | 6.3 Ом тип. / 7.30 Ом макс. (ID 200 мА) |
| Частота перетворення | 132 кГц (опція 66 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 78 % |
| Потужність, закритий корпус | 33 Вт (230 В AC ±15 %, +50 °C) |
| Потужність, відкрита рама | 53 Вт (230 В AC ±15 %, +50 °C) |
| Корпус | eSOP-12B (K package) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G023N04 ( HYG023N04 , HYG023N04NR1P , HYG023N04LS1P ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Інші позначення | HYG023N04, HYG023N04NR1P, HYG023N04LS1P |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 170 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм тип., 2,6 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 2,9 мОм тип., 3,5 мОм макс. (VGS = 4,5 В, IDS = 40 А) |
| Напруга Vgs(th) | 1–3 В, тип. 1,9 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58,7 нКл (VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
FHP13N50 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,34 Ом (макс. 0,45 Ом) (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (типове, Vds 250 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | FeiHong |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K75EEH5 ( IKW75N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Номер | IKW75N65EH5 |
| Маркування | K75EEH5 |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 75 А (Tc 100 °C); 90 А (Tc 25 °C, обмежено виводами) |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,10 В макс. (Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл (Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Діод | вбудований, RAPID 1 |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDP8860 оригінал, TO220
В наявності
99,64 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, VGS = 10 В) | 80 А (обмеження корпусу), 219 А (обмеження кремнію) |
| Опір Rds(on) | 1,9 мОм тип., 2,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 2,9 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 80 А) |
| Напруга Vgs(th) | 1–2,5 В, тип. 1,6 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вхідна ємність Ciss | 9200 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2126 оригінал, SOP28L
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер двох напівмостів |
| Напруга VB | 600 В (абсолютний максимум VB1/VB2) |
| Напруга живлення VDD (VCC) | 3–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | +2.0 / -2.0 А |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Стабілізатор | 5 В (4.9–5.1 В, AVDD 12 В) |
| Вбудовані вузли | ОП (3 виводи) і компаратор (3 виводи) |
| Затримка вмикання LO | 280 нс (TA 25 °C, Vcc 12 В, CL 10 нФ, типова) |
| Затримка вимикання LO | 100 нс (TA 25 °C, Vcc 12 В, CL 10 нФ, типова) |
| Корпус | SOP-28 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2113D оригінал, SOW-16 широкий корпус
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер затворів напівмоста |
| Напруга VB | 600 В |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А (PW 10 мкс) |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Статичний струм | 50 мкА типово, макс. 100 мкА (входи не підключені, Vcc 15 В) |
| Мертвий час | 130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий) |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGH40N60SMD оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm (TC = 25 °C) | 120 А |
| Vce(sat) (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) | 1,9 В тип., 2,5 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC = 25 °C) | 349 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS12N65F оригінал, TO220F
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 10 А |
| Опір Rds(on) | 0,54 Ом тип., 0,7 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (VGS = 10 В, ID = 12 А, VDD = 325 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2060 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 55 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T60AK3SD ( CRG40T60AK3SD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop Trench) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,7 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В) |
| Pd при 25 °C | 336 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID2006 ( ID2006SEC-R1 ) оригінал, so-8
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний швидкий драйвер MOSFET з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа |
| Робоча напруга плаваючого каналу | до 200 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 6–18 В |
| Вихідний струм (джерело / стік) | 1 / 1 А (типове) |
| Стійкість до dV/dt | ±50 В/нс |
| Допустима від'ємна напруга Vs | -9 В (типове) |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 В |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | Chipown |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2106 оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | драйвер затворів MOSFET і IGBT верхнього і нижнього ключа для DC-DC перетворювачів |
| Максимальна напруга плаваючого каналу VB | 600 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Напруга живлення VCC, абсолютний максимум | 20 В (TA 25 °C) |
| Вихідний струм (джерело / стік) | 0,3 / 0,6 А |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 В |
| Максимальна частота | 500 кГц |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID7S625 ( ID7S625SBC-R1 ) оригінал, SOIC-16(W)
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа |
| Робоча напруга плаваючого каналу | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Вихідний струм | 2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік) |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 / 15 В |
| Захист | UVLO для обох каналів |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Виробник | Chipown |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ST UC3843B оригінал ( заміна для UC3843A ), so-8
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Опорна напруга Vref | 5,00 В (типове, Tj 25 °C, Io 1 мА) |
| Частота генератора | 52 кГц (типове, RT 10 кОм, CT 3,3 нФ) |
| Поріг вмикання UVLO | 8,4 В (типове) |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 96 % (типове) |
| Струм запуску | 0,5 мА (максимум, Vi 6,5 В) |
| Піковий струм виходу | до 1 А |
| Напруга живлення, абсолютний максимум | 30 В |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT151-500R оригінал, ТО220
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 500 В |
| Середній прямий струм IT(AV) | 7.5 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Діючий прямий струм IT(RMS) | 12 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Ударний струм ITSM | 120 А (tp=10 мс, Tj(init)=25 °C) |
| Струм керування IGT | 2 мА тип. / 15 мА макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Напруга керування VGT | 0.6 В тип. / 1.5 В макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VT | 1.4 В тип. / 1.75 В макс. (IT=23 А, Tj=25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ON NJW0281G+NJW0302G оригінали, TO-3P
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | NJW0281G – NPN, NJW0302G – PNP (комплементарна пара) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 250 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 250 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic постійний | 15 А |
| Струм колектора імпульсний | 30 А (імпульс 5 мс, шпаруватість <10 %) |
| Струм бази Ib | 1,5 А |
| Потужність розсіювання Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | від -65 до +150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 75–150 (Vce = 5 В; Ic = 0,5 А, 1 А і 3 А) |
| Vce(sat) | 1,0 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 0,5 А) |
| Гранична частота fT | 30 МГц мін. (Ic = 1 А, Vce = 5 В, f = 1 МГц) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Діод SFF2006 оригінал, TO220F-3pin
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод надшвидкий |
| Виробник | JUXING |
| Корпус | TO-220F |
| Vrrm | 600 В |
| I(AV) | 20 А |
| Ifsm | 160 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Vf | 1.70 В при IF 10 А, DC |
| trr | 35 нс при IF 0,5 А, IR 1 А, Irr 0,25 А |
| Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RJP63F3 ( RJP63F3A ) оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 630 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Ic | 40 А (Ta = 25 °C) |
| Напруга VCE(sat) | 1.7 В (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор ME60N03A оригінал (заміна для ME60N03L , FQD60N03L ) , DPAK
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 25 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Rds(on) | 8,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А); 13 мОм макс. (Vgs 4,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл (Vds 15 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1100 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1–3 В (Id 250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Matsuki |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK58E06N1 ( K58E06N1 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Струм стоку Id (з радіатором) | 58 А |
| Rds(on) типово | 4,4 мОм при Vgs = 10 В, Id = 29 А |
| Розсіювана потужність Pd | 110 Вт при Tc = 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл при Vdd ≈ 48 В, Vgs = 10 В, Id = 58 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190P6 ( IPA60R190P6 ) оригінал, TO220F
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0, Id 1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20,2 А (Tc 25 °C); 12,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 190 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 7,6 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл (типове, Vdd 400 В, Id 9,5 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1750 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,5–4,5 В (Id 0,63 мА) |
| Ptot | 34 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |