Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема PN7113W , so8
192,23 ₴
50 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
50 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PN7113W – мікросхема, драйвер затворів потужних MOSFET та IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього плеча, корпус SO-8.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | драйвер затворів MOSFET/IGBT |
| Виробник документа | Chipown (PN7113) |
| Напруга плаваючого каналу | до 600 В |
| Вихідний струм | 3.0 А |
| Живлення драйвера | 10–20 В |
| Живлення логіки | 3.3–20 В |
| Робоча частота | до 100 кГц |
| Корпус | SO-8 |
PN7113W – мікросхема, драйвер затворів потужних MOSFET та IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього плеча. Параметри наведені за даташитом найближчої деталі PN7113 (Chipown). Робоча напруга плаваючого каналу – до 600 В (VS, рекомендовані умови). Вихідний струм драйвера – 3.0 А. Живлення драйвера затворів – 10–20 В, живлення логіки – 3.3–20 В. Робоча частота – до 100 кГц. Корпус товару – SO-8.
Перед покупкою порівняйте маркування на вашій платі з номером PN7113W і переконайтеся, що корпус SO-8 збігається з посадковим місцем. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте не лише номер, а й розпіновку та корпус за документацією виробника: для мікросхем підбір за схожою назвою не гарантує сумісності. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Драйвер потужних MOSFET та IGBT
- Приводи двигунів середньої та великої потужності
- Баласти освітлення
Чим замінити PN7113W?
Тільки мікросхемою з тією самою розпіновкою та корпусом. Конкретну заміну ми не пропонуємо: звіряйте розпіновку й параметри за документацією виробника.
Як перевірити, що PN7113W підходить до моєї плати?
Порівняйте маркування на платі з номером PN7113W, корпус SO-8 з посадковим місцем і напруги живлення драйвера та логіки з вашою схемою.
Для чого потрібен драйвер затворів?
Він підсилює сигнал керування і відкриває та закриває силові MOSFET або IGBT верхнього і нижнього плеча. Тут канали верхнього і нижнього плеча незалежні.
Чи збігаються параметри PN7113W з наведеними на сторінці?
Параметри взято з даташиту PN7113 (Chipown), найближчої деталі. Точну відповідність для PN7113W перевіряйте самостійно за документом.
Найближчий datasheet: PN7113 (Chipown).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема GD32F303CCT6 оригінал, LQFP48
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 32-бітний мікроконтролер, Arm Cortex-M4 |
| Виробник | GigaDevice |
| Корпус | LQFP48 |
| Макс. частота | 120 МГц |
| Flash | 256 КБ |
| SRAM | 48 КБ |
| Лінії вводу-виводу | до 37 |
| Таймери | 4 загального призначення, 1 розширений, 2 базові (16 біт), SysTick |
| Інтерфейси | USART/UART – 3, I2C – 2, SPI – 3, I2S – 2, CAN 2.0B – 1, USB 2.0 FS – 1 |
| АЦП | 12 біт, 3 блоки (10 каналів) |
| ЦАП | 12 біт, 2 блоки |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP2412 ( TP2412-SR ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 3PEAK |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення | 2,2–5,5 В |
| Макс. напруга живлення V+ – V− | 7,0 В (абсолютний максимум) |
| Добуток підсилення на смугу | 10 МГц |
| Швидкість наростання | 7 В/мкс |
| Напруга зсуву | 1 мВ (макс.) |
| Шум напруги | 8,2 нВ/√Гц (f = 1 кГц) |
| Вхідний струм зсуву | 0,3 пА (типово) |
| Струм живлення на канал | 1,4 мА |
| Вихідний струм | 70 мА (падіння 1,0 В) |
| THD+N | 0,0005 % |
| Діапазон температур | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T60A83L ( CRG20T60A83L ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (TJ = 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1.66 В typ, макс. 2.4 В (IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Vge(th) | 5.4 В typ |
| Qg | 86.4 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R220PZ оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11.5 А |
| Імпульсний струм стоку | 54 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 220 мОм макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Заряд затвора Qg | 21.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1493 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В |
| Потужність розсіювання Pd | 151 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | DIP8 |
| Розмір сторінки запису | 8 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 4 Кбіт (512 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | SO-8 |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C32 ( AT24C32A , ST24C32W6 ) (DIP8)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 32 Кбіт (4096 x 8) |
| Інтерфейс | 2-wire (I2C-сумісний) |
| Напруга живлення Vcc | 2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання) |
| Розмір сторінки запису | 32 байти |
| Час циклу запису | 10 мс (максимум) |
| Струм спокою (Low-Power) | 2 мкА при Vcc = 5,5 В |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (8-pin PDIP, 0,300″) |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.