Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS12N65F оригінал, TO220F
100,11 ₴
53 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
53 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS12N65F – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 650 В і 12 А в корпусі TO-220F, оригінал. Підходить для імпульсних ключових схем адаптерів і зарядних пристроїв.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 10 А |
| Опір Rds(on) | 0,54 Ом тип., 0,7 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (VGS = 10 В, ID = 12 А, VDD = 325 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2060 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 55 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
CS12N65F – N-канальний польовий транзистор (VDMOSFET, планарна технологія) виробництва Wuxi China Resources Huajing Microelectronics. Параметри наведені за документом CS12N65FA9H. Напруга стік–витік Vds – 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 12 А при Tc 25 °C і 10 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,54 Ом типово і 0,7 Ом максимум (VGS = 10 В, ID = 6 А). Порогова напруга затвора Vgs(th) – 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА). Заряд затвора Qg – 44 нКл (VGS = 10 В, ID = 12 А, VDD = 325 В). Вхідна ємність Ciss типово 2060 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 55 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал (N), Vds не нижче, струм Id, Rds(on) не вище і заряд затвора Qg: у деталі з більшим Qg може знадобитися інший драйвер. Корпус має бути TO-220F з тією ж розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні ключові схеми адаптерів і зарядних пристроїв.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CS12N65F?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з тією ж розпіновкою. Напруга Vds має бути не нижче 650 В, струм Id не менший, а Rds(on) не вищий за 0,7 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А). Порівнюйте цифри при однакових умовах вимірювання.
Як перевірити CS12N65F мультиметром?
Вимкніть деталь з плати. У режимі перевірки діодів між стоком і витоком транзистор поводиться як діод, а між затвором і іншими виводами струму бути не повинно. Перед перевіркою розрядіть затвор, торкнувшись до виводів.
Чи підходить для імпульсного блока живлення?
Деталь призначена для імпульсних ключових схем адаптерів і зарядних пристроїв. Перед встановленням звірте Vds, Id і Rds(on) із деталлю, яка стояла в схемі.
Документація виробника: CS12N65FA9H (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.