Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3PH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100 оригінал, TO-3PH
141,00 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MS5N100 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) MASPOWER на 1000 В у корпусі TO-3PH. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3PH |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | MASPOWER |
| Напруга Vds | 1000 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 5 А (Tc 25 °C), 3 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,5 Ом тип., 4,5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 74 Вт (Tc 25 °C, TO-3PH) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PH |
| Стан | Оригінал |
MS5N100 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва MASPOWER у корпусі TO-3PH, планарний процес. За даташитом: напруга Vds 1000 В (при ID = 1 мА, VGS = 0 В), струм стоку Id 5 А при Tc 25 °C і 3 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) 3,5 Ом (тип.), 4,5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 1 А. Порогова напруга Vgs(th) 2,0–5,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 74 Вт при Tc 25 °C для корпусу TO-3PH, максимальна температура переходу Tj 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Документ виробника охоплює також варіанти MS5N100S, MS5N100FT, MS5N100FE, MS5N100FD в інших корпусах. Для заміни перевіряйте корпус і розпіновку за datasheet. У каталозі підходящих аналогів зараз немає.
Де застосовують
- Ключові (імпульсні) схеми
Чим замінити MS5N100?
Порівнюйте канал, Vds, Id і Rds(on) при однаковому VGS, а також корпус TO-3PH і розпіновку за datasheet. У каталозі підходящих аналогів зараз немає.
Який максимальний струм і напруга MS5N100?
Vds 1000 В, Id 5 А при Tc 25 °C і 3 А при Tc 100 °C.
Як підібрати заміну за параметрами?
Порівнюйте канал, Vds, Id і Rds(on) при однаковому VGS, а також корпус TO-3PH і розпіновку.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: MS5N100 (MASPOWER).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема UC3845B оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.