Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID7S625 ( ID7S625SBC-R1 ) оригінал, SOIC-16(W)
100,11 ₴
67 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
67 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
ID7S625 (ID7S625SBC-R1) – оригінальна мікросхема, високовольтний драйвер затворів MOSFET і IGBT верхнього та нижнього ключа в корпусі SOIC-16(W).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа |
| Робоча напруга плаваючого каналу | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Вихідний струм | 2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік) |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 / 15 В |
| Захист | UVLO для обох каналів |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Виробник | Chipown |
| Стан | Оригінал |
ID7S625 (ID7S625SBC-R1) – мікросхема виробництва Chipown, високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа. Робоча напруга плаваючого каналу – до 600 В, напруга живлення драйвера затвора – 10–20 В. Вихідний струм – 2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік). Логічні входи сумісні з 3,3 / 5 / 15 В. Для обох каналів є захист UVLO. Корпус – SOW16 (SOIC-16 широкий), 16 виводів.
Це оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за повним збігом корпусу та розпіновки: потрібен саме широкий корпус SOIC-16(W), а напруга плаваючого каналу, напруга живлення і вихідний струм мають бути не нижчі за наведені вище. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- DC/DC перетворювачі
- Драйвер силових MOSFET і IGBT
- DC/AC перетворювачі
Чим замінити ID7S625?
Підходить лише драйвер верхнього і нижнього ключа в тому самому корпусі SOIC-16(W) з такою самою розпіновкою. Напруга плаваючого каналу має бути не нижчою за 600 В. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Якими транзисторами може керувати ID7S625?
Це драйвер силових MOSFET і IGBT. Логічні входи сумісні з 3,3 / 5 / 15 В.
Чи є в ID7S625 захист за напругою живлення?
Так, для обох каналів є захист UVLO.
Документація виробника: ID7S625 (Chipown).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор 40N60FD2 оригінал( SGT40N60FD2 , 40N60FD , TGAN40N60FD , SGT40N60FD ), TO3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 120 А |
| Розсіювана потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В тип. / 2,7 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…6,5 В (тип. 5,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вбудований діод (FRD), Vfm | 1,9 В тип. / 2,6 В макс. (If 20 А, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод (FRD), Trr | 32 нс |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS150N04 ( CS150N04A8 , 150N04 , FP150N04S , HFP150N04S ) оригінал , TO220(40V,150A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 90 А |
| Імпульсний струм Idm (TC = 25 °C) | 600 А |
| Опір Rds(on) | 4 мОм (тип.), до 4,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Vgs(th) | 2,0–3,5 В |
| Qg | 160 нКл (тип.) при VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG104R5NT ( 104R5NT ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 110 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм тип., макс. 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 208 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.