Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE80H12 оригінал, TO220
61,57 ₴
39 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
39 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE80H12 – оригінальний N-канальний польовий транзистор NCE у корпусі TO-220 на 80 В. Підходить для автомобільної електроніки, UPS та високочастотних перемикальних схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В |
| Rds(on) тип. | 4.9 мОм (VGS=10 В, ID=40 А; макс. 6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg тип. | 163 нКл (VDS=30 В, ID=30 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| trr діода тип. | 42 нс (TJ=25 °C, IF=40 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
NCE80H12 – N-канальний MOSFET виробництва NCE (Wuxi NCE Power Semiconductor) у корпусі TO-220-3L. Максимальна напруга стік–витік Vds – 80 В. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 4.9 мОм при VGS 10 В і ID 40 А (максимум 6 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VDS=VGS і ID 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 163 нКл при VDS 30 В, ID 30 А і VGS 10 В, тому драйвер затвора має бути розрахований на такий заряд. Вхідна ємність Ciss типово 6500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу Tj – 175 °C, час зворотного відновлення вбудованого діода trr типово 42 нс при TJ 25 °C, IF 40 А і di/dt 100 А/мкс.
Товар оригінальний, не демонтаж. Якщо шукаєте заміну, порівнюйте канал (N), корпус TO-220, Vds не нижче 80 В і Rds(on) при VGS 10 В, а також заряд затвора: у деталі з більшим Qg драйвер гріється сильніше. Аналоги з нашого складу наведено в таблиці на сторінці. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Автомобільні застосування, жорстко перемикані та високочастотні схеми, UPS
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.2 ≤ 1.3×4.9=6.37 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Заряд затвора порівняйте за datasheet, може знадобитися інший драйвер. | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 80, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 4.3 ≤ 1.3×4.9=6.37 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Заряд затвора порівняйте за datasheet. | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.1 ≤ 1.3×4.9=6.37 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Заряд затвора порівняйте за datasheet. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×4.9=6.37 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Заряд затвора порівняйте за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити NCE80H12?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 80 В і Rds(on) не гірше за 4.9 мОм при VGS 10 В з запасом. Кандидати з нашого каталогу наведено в таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка порогова напруга відкривання?
Vgs(th) – 2–4 В при VDS=VGS і ID 250 мкА. Опір каналу вказано при VGS 10 В.
Чи підходить для UPS і автомобільних схем?
За даними виробника, область застосування – автомобільні застосування, жорстко перемикані та високочастотні схеми, UPS.
Документація виробника: NCE80H12 (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.