Польові транзистори
Транзистор HY4903P ( HY4903 ) оригінал,TO220
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 290 А (Tc 25 °C), 200 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,6 мОм, макс. 2,0 мОм (Vgs 10 В, Id 145 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 2,0 мОм, макс. 3,0 мОм (Vgs 4,5 В, Id 145 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 247 нКл (Vds 24 В, Vgs 10 В, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 11506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 214 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY5110W ( HY5110 ) оригінал (100V,316A), TO247
В наявності
147,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 316 А (Tc 25 °C); 214 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2,1 мОм typ., 2,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 158 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (діапазон 2–4 В, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 16465 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY5208W ( HY5208 ) оригінал (80V,320A), TO247
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим підсилення |
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±25 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 320 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу); 228 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 1050 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.7 мОм типово, макс. 2.0 мОм (Vgs = 10 В, Ids = 160 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В типово, діапазон 2–4 В (Vds = Vgs, Ids = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 298 нКл типово (Vds = 64 В, Vgs = 10 В, Ids = 160 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 12160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.36 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга діода Vsd | 0.8 В типово, макс. 1 В (Isd = 160 А, Vgs = 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 76 нс типово (Isd = 160 А, dIsd/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG011N04 ( G011N04 , HYG011N04LS1B6 ) оригінал(40V/320A), TO-263-6L
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим підсилення |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 320 А (Tc 25 °C); 227 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 1000 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs = 10 В | 0.92 мОм типово, макс. 1.2 мОм (Ids = 50 А) |
| Опір Rds(on) при Vgs = 4.5 В | 1.3 мОм типово, макс. 1.6 мОм (Ids = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.8 В типово, діапазон 1–3 В (Vds = Vgs, Ids = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 94.8 нКл при Vgs = 10 В; 45.6 нКл при Vgs = 4.5 В (Vds = 32 В, Ids = 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5774 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Потужність Pd | 240 Вт (Tc 25 °C); 120 Вт (Tc 100 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.62 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга діода Vsd | 0.75 В типово, макс. 1.3 В (Isd = 20 А, Vgs = 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 38.8 нс типово (Isd = 40 А, dIsd/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-263-6L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG011N04 ( HYG011N04LS1TA ) оригінал(40V/320A), TOLL
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TOLL |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 320 А |
| Струм Id (100 °C) | 226 А |
| Опір Rds(on) при 10 В | 0.9 мОм тип., 1.2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Опір Rds(on) при 4.5 В | 1.3 мОм тип., 1.7 мОм макс. (Vgs 4.5 В, Id 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 92 нКл (Vgs 10 В), 44 нКл (Vgs 4.5 В); Vds 32 В, Id 50 А |
| Вхідна ємність Ciss | 5870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1.8 В тип. (1–3 В) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C), 125 Вт (100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG015N10 ( HYG015N10NS1TA ) оригінал(100V/380A), TOLL
В наявності
194,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TOLL |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 380 А |
| Струм Id (100 °C) | 268,7 А |
| Rds(on) | 1,2 мОм тип., 1,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 205 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 12300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 428,5 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG016N04LS1W ( HYG016N04 , G016N04 , HYG016N04W ) оригінал, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, підсилення |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 290 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 205 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 1.2 мОм тип., 1.5 мОм макс. (Id 40 А) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 1.6 мОм тип., 2.0 мОм макс. (Id 40 А) |
| Vgs(th) | 1 В мін., 1.8 В тип., 3 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5538 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG020N10NS1W ( HYG020N10 , HYG020N10W ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id | 269 А (Tc 25 °C); 190 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.9 мОм тип., 2.3 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 80 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 13200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 98 нс тип. (Isd 100 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG022N10NS1TA ( HYG022N10 ) оригінал, TOLL
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TOLL |
| Напруга стік–витік Vds | 100 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 249 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 176 А |
| Rds(on) | 2,2 мОм тип., 2,8 мОм макс. (VGS 10 В, IDS 50 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,1 В), VDS=VGS, IDS 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 160,5 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 80 В, IDS 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 9026 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 312 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG026N08NS ( HYG026N08 , G026N08 ) оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id | 200 А (Tc 25 °C), 141,4 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм тип., 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 50 А) |
| Vgs(th) | 2,2 / 3 / 3,8 В (мін. / тип. / макс.) |
| Qg | 107 нКл (Vgs 10 В, Vds 64 В, Ids 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7782 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Pd | 258,6 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG053N10 ( HYG053N10NS2P , HYG053N10NS1P , G053N10 ) оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 84.8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) typ. | 4.8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C; макс. 5.5 мОм) |
| Vgs(th) | 3 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4036 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 187.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1P , G065N15 ) оригінал ( заміна для PW065N15CS ), TO220
В наявності
124,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 116 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) typ. | 6.2 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C; макс. 7.5 мОм) |
| Vgs(th) | 3.2 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1W ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 580 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.0 мОм (типове, Vgs 10 В, Ids 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (типове, Ids 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (типове, Vds 75 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.40 °C/Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG100N20 ( HYG100N20NS1P ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id | 140 А (Tc 25 °C); 98 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), тип. | 9 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А; макс. 10.7 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3.1 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 64 нКл (Vgs 10 В, Vds 160 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4708 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr, тип. | 136 нс (Isd 40 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG100N20 ( HYG100N20NS1W , HYG100N20W ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Infineon 8R1K0CE ( IPA80R1K0CE , 8R1KOCE ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, CoolMOS CE |
| Напруга Vds | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 5.7 А (TC 25 °C); 3.6 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 18 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.83 Ом (VGS 10 В, ID 3.6 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.95 Ом (VGS 10 В, ID 3.6 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1 (мін.) / 3.0 (тип.) / 3.9 (макс.) В |
| Напруга Vgs | ±20 В (static) |
| Заряд затвора Qg | 31 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 785 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 32 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга ізоляції корпусу | 2500 В rms (TC 25 °C, 1 хв) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Infineon BTS118D оригінал демонтаж, DPAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Розумний low-side ключ (HITFET), N-канал |
| Напруга Vds | 42 В (Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 70 мОм тип., 100 мОм макс. (VIN 10 В, ID 2,2 А, Tj 25 °C) |
| Номінальний струм | 3,2 А тип. (TA 85 °C, охолодження 6 см²) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IPB019N08N3 ( 019N08N ) оригінал, PG-TO263-7
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал, OptiMOS 3 |
| Напруга Vds (макс.) | 80 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, макс.) | 180 А |
| Імпульсний струм стоку (макс.) | 720 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, макс.) | 1.9 мОм |
| Qg (Vgs 10 В, тип.) | 155 нКл |
| Ciss | 10700 пФ |
| Coss | 2890 пФ |
| Ptot (макс.) | 300 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IR AUIRFS4010-7 ( IRFS4010-7 ) оригінал, D2PAK-7pin б/в
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N, HEXFET, Automotive |
| Напруга Vdss | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 190 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В); 130 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм макс.; тип. 3.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 110 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл тип. (ID = 110 А, VDS = 50 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9830 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 380 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.40 °C/Вт макс. |
| Діапазон Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRF1324S-7P ( F1324S-7P ) оригінал, D2PAK-7Pin б/в
В наявності
245,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N, HEXFET |
| Напруга Vdss | 24 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (кремній) | 429 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В); 303 А (TC = 100 °C) |
| Струм стоку Id (корпус) | 240 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 1.0 мОм макс.; тип. 0.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 160 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл тип. (ID = 75 А, VDS = 12 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7700 пФ (Vds 19 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IR IRFB7437 оригінал, TO220
В наявності
73,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (кристал) | 250 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (кристал, 100 °C) | 180 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (виводи) | 195 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) typ | 1.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 100 А, TJ = 25 °C) |
| Rds(on) max | 2.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 100 А, TJ = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.2 / 3.0 / 3.9 В (min/typ/max, VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Vgs max | 20 В |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7330 пФ |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.65 °C/Вт (max) |
| Тип | N-канал, HEXFET StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF100B201 ( F100B201 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier), серія StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 192 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 136 А |
| Rds(on) тип. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 3,5 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 4,2 мОм |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg тип. | 170 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc = 25 °C) | 441 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1010E (заміна для IRF1010N ) оригінал (60V,84A), TO220
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, HEXFET 5-го покоління |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 84 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 59 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs | ±20 В макс. |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRF1010E (Заміна для IRF1010N ) оригінал демонтаж(60V,84A)
В наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 84 А (обмеження корпусом 75 А) |
| Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 59 А |
| Імпульсний струм IDM | 330 А |
| RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 12 мОм |
| Потужність PD (TC = 25 °C) | 200 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус макс. | 0,75 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Тип | N-канал, HEXFET 5-го покоління |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRF1018E оригінал, TO220
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 79 А |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 56 А |
| Rds(on) типово | 7.1 мОм (VGS = 10 В, ID = 47 А) |
| Rds(on) макс. | 8.4 мОм (VGS = 10 В, ID = 47 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Pd (TC = 25 °C) | 110 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2290 пФ |
| Напруга Vgs max | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1324S-7P ( F1324S-7P ) оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
394,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, HEXFET |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 24 В |
| Струм Id (обмеження корпусом, Tc 25 °C) | 240 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 25 °C) | 429 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 100 °C) | 303 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 160 А | 0,8 мОм тип. / 1,0 мОм макс. |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 7700 пФ (Vds 19 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1324S-7P ( F1324S-7P ), D2PAK-7Pin
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | N-канальний MOSFET (HEXFET) |
| Напруга Vds | 24 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 160 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 1.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 160 А, Tj 25 °C) |
| Струм Id (за кристалом) | 429 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (за кристалом, 100 °C) | 303 А (Tc 100 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (обмеження корпусу) | 240 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 1640 А |
| Розсіювана потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg тип./макс. | 180 / 252 нКл (ID = 75 А, VDS = 12 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7700 пФ (VGS = 0 В, VDS = 19 В, f = 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
Транзистор IRF1404 оригінал, TO220
В наявності
66,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 202 А |
| Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 143 А |
| Імпульсний струм IDM | 808 А |
| RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 121 А) | 0,004 Ом (тип. 0,0035) |
| Порогова напруга VGS(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 131 нКл (макс. 196) |
| Вхідна ємність Ciss | 5669 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC = 25 °C) | 333 Вт |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В |
| Енергія лавини EAS | 620 мДж |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус макс. | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Тип | N-канал, HEXFET 7-го покоління |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1404Z ( F1404Z ) оригінал, TO220
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (кристал) | 180 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 120 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 2,7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Rds(on) макс. | 3,7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4340 пФ |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1405 оригінал (55V;169A;330W,0.0053R)
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 169 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 118 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм стоку | 680 А |
| Rds(on) | 5.3 мОм макс., типово 4.6 мОм (VGS = 10 В, ID = 101 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл, макс. 260 нКл (ID = 101 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1407 оригінал (75V;130A;330W,0.0078R)(Заміна для DH3205A ),TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 130 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 92 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм стоку | 520 А |
| Rds(on) | 7.8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 78 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл, макс. 250 нКл (ID = 78 А, VDS = 60 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5600 пФ (Vds 25 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Напруга вбудованого діода Vsd | 1.3 В макс. (Tj 25 °C, IS = 78 А, VGS = 0 В) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 110 нс, макс. 170 нс (Tj 25 °C, IF = 78 А, di/dt = 100 А/мкс) |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF2804 оригінал (40V,75A),TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id, обмеження кремнієм (TC = 25 °C) | 270 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 190 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id, обмеження корпусом (TC = 25 °C) | 75 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм стоку | 1080 А |
| Rds(on), TO-220 | 2.3 мОм макс., типово 1.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл, макс. 240 нКл (ID = 75 А, VDS = 32 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6450 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Напруга вбудованого діода Vsd | 1.3 В макс. (Tj 25 °C, IS = 75 А, VGS = 0 В) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 56 нс, макс. 84 нс (Tj 25 °C, IF = 75 А, VDD = 20 В, di/dt = 100 А/мкс) |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF2805 оригінал (55V,75A),TO220
В наявності
156,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (обмеження корпусом) | 75 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку ID (100 °C) | 120 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір каналу Rds(on) | 4.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 104 А) |
| Макс. напруга затвор-витік | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Вхідна ємність Ciss | 5110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF2807 оригінал (75V,82A,230W,0.013R)
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 82 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 58 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 13 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 43 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл макс. (ID = 43 А, VDS = 60 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3820 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220
В наявності
58,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3704 оригінал
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Напруга Vds | 20 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 77 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (Tc 70 °C) | 64 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм тип., 9.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 15 А) |
| Опір Rds(on) при 4.5 В | 9.8 мОм тип., 13.5 мОм макс. (VGS = 4.5 В, ID = 12 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 В мін., 3.0 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VDS = 10 В, VGS = 4.5 В, ID = 28.4 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1996 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 87 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3710 оригінал (100V,57A)
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (25 °C) | 57 А |
| Струм Id (100 °C) | 40 А |
| Rds(on) | 23 мОм (VGS = 10 В, ID = 28 А, макс.) |
| Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3710S ( F3710S ) оригінал, TO263
В наявності
46,06 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 100 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 57 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В |
| Струм стоку Id (100 °C) | 40 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В |
| Опір Rds(on) | 23 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 28 А |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (макс.), ID = 28 А, VDS = 80 В, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт, TC = 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF510 оригінал
В наявності
44,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (25 °C) | 5,6 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,54 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,4 А, макс.) |
| Pd | 43 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF520 ( IRF520N ) оригінал
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (25 °C) | 9,7 А |
| Струм Id (100 °C) | 6,8 А |
| Rds(on) | 0,20 Ом (VGS = 10 В, ID = 5,7 А, макс.) |
| Pd | 48 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 330 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |