Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-263-6L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG011N04 ( G011N04 , HYG011N04LS1B6 ) оригінал(40V/320A), TO-263-6L
188,00 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
11 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG011N04 (G011N04, HYG011N04LS1B6) – N-канальний польовий транзистор на 40 В і 320 А у корпусі TO-263-6L. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-263-6L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим підсилення |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 320 А (Tc 25 °C); 227 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 1000 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs = 10 В | 0.92 мОм типово, макс. 1.2 мОм (Ids = 50 А) |
| Опір Rds(on) при Vgs = 4.5 В | 1.3 мОм типово, макс. 1.6 мОм (Ids = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.8 В типово, діапазон 1–3 В (Vds = Vgs, Ids = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 94.8 нКл при Vgs = 10 В; 45.6 нКл при Vgs = 4.5 В (Vds = 32 В, Ids = 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5774 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Потужність Pd | 240 Вт (Tc 25 °C); 120 Вт (Tc 100 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.62 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга діода Vsd | 0.75 В типово, макс. 1.3 В (Isd = 20 А, Vgs = 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 38.8 нс типово (Isd = 40 А, dIsd/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-263-6L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
HYG011N04 (G011N04, HYG011N04LS1B6) – N-канальний польовий транзистор виробництва HUAYI, режим підсилення (Enhancement Mode). Напруга Vds 40 В при Tc 25 °C, струм стоку Id 320 А при Tc 25 °C і 227 А при Tc 100 °C, імпульсний струм Idm 1000 А. Опір Rds(on) типово 0.92 мОм (максимум 1.2 мОм) при Vgs = 10 В, Ids = 50 А та 1.3 мОм (максимум 1.6 мОм) при Vgs = 4.5 В, Ids = 50 А. Порогова напруга Vgs(th) типово 1.8 В (діапазон 1–3 В), Vgs ±20 В. Заряд затвора Qg типово 94.8 нКл при Vgs = 10 В і 45.6 нКл при Vgs = 4.5 В (Vds = 32 В, Ids = 40 А). Вхідна ємність Ciss типово 5774 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц). Потужність Pd 240 Вт при Tc 25 °C, Tj до 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Корпус TO-263-6L (код B6). Деталь має Rds(on) і при Vgs = 4.5 В, тому її можна керувати зниженою напругою на затворі. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id і Rds(on) при тому самому Vgs, а також корпус і розпіновку виводів.
Де застосовують
- Комутація (Switching application)
- Захист літієвих батарей (Li-battery protection)
- Керування двигунами (Motor control)
Чим замінити HYG011N04?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-263-6L з Vds не нижче 40 В, таким самим Id і Rds(on) не гірше при тому самому Vgs. Розпіновку виводів звірте з документом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи збігаються HYG011N04, G011N04 і HYG011N04LS1B6?
Це назви однієї деталі: G011N04 – маркування, HYG011N04LS1B6 – повний номер із кодом корпусу B6.
Чи можна керувати ним від 4.5 В на затворі?
Rds(on) при Vgs = 4.5 В типово 1.3 мОм (Ids = 50 А). При Vgs = 10 В він менший: 0.92 мОм.
Документація виробника: HYG011N04LS1B6 (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.