Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTOLL
СтанОригінал

Транзистор HYG022N10NS1TA ( HYG022N10 ) оригінал, TOLL

103,40 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG022N10NS1TA (HYG022N10) – N-канальний польовий транзистор HUAYI, оригінал, корпус TOLL.

ПараметрЗначення
КорпусTOLL

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
ТипMOSFET N-канал
КорпусTOLL
Напруга стік–витік Vds100 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)249 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)176 А
Rds(on)2,2 мОм тип., 2,8 мОм макс. (VGS 10 В, IDS 50 А, Tc 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (тип. 3,1 В), VDS=VGS, IDS 250 мкА
Заряд затвора Qg160,5 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 80 В, IDS 50 А)
Вхідна ємність Ciss9026 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)312 Вт
Макс. температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал
Опис

HYG022N10NS1TA (HYG022N10) – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TOLL. Напруга стік–витік Vds – 100 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА). Струм стоку Id – 249 А при Tc 25 °C і 176 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,2 мОм типове і 2,8 мОм максимальне при VGS 10 В, IDS 50 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 160,5 нКл типове при VGS 10 В, VDS 80 В, IDS 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 9026 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 312 Вт при Tc 25 °C і 156 Вт при Tc 100 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.

Стан – оригінал. Для заміни порівнюйте канал, корпус і розпіновку, Vds, Id та Rds(on) при однаковому VGS, а також заряд затвора, бо від нього залежить навантаження на драйвер. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні перетворювачі (switching application)
  • Живлення інверторних систем
  • Керування акумуляторами (battery management)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити HYG022N10NS1TA?

Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TOLL з тією ж розпіновкою, Vds не нижче 100 В, Id і Rds(on) не гірше при VGS 10 В. Звіряйте datasheet.

Чи підходить для імпульсних перетворювачів?

Документ виробника вказує на імпульсні перетворювачі як одну з областей застосування. Заряд затвора 160,5 нКл тип. враховуйте при виборі драйвера.

Яка різниця між HYG022N10NS1TA і HYG022N10?

HYG022N10 – скорочене позначення цієї ж деталі. Повний номер HYG022N10NS1TA, літери TA в кінці означають корпус TOLL.

Datasheet

Документація виробника: HYG022N10NS1TA (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG022N10NS1TA (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.