Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор IRF3710S ( F3710S ) оригінал, TO263

46,06 ₴

29 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

29 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

IRF3710S (F3710S) – N-канальний HEXFET на 100 В у корпусі D2Pak (TO-263). Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET, HEXFET
ВиробникInternational Rectifier (Infineon)
КорпусD2PAK
Напруга Vds100 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.)
Струм стоку Id (25 °C)57 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В
Струм стоку Id (100 °C)40 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В
Опір Rds(on)23 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 28 А
Поріг Vgs(th)2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg130 нКл (макс.), ID = 28 А, VDS = 80 В, VGS = 10 В
Вхідна ємність Ciss3130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd200 Вт, TC = 25 °C
Макс. Tj175 °C
СтанОригінал
Опис

IRF3710S (F3710S) – N-канальний HEXFET виробництва International Rectifier (Infineon) у корпусі D2Pak (TO-263). Напруга Vds – 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 57 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В; 40 А при TC = 100 °C, VGS = 10 В. Опір Rds(on) – до 23 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 28 А. Поріг Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – до 130 нКл (макс.) при ID = 28 А, VDS = 80 В, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 200 Вт при TC = 25 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, беріть N-канальний MOSFET у корпусі TO-263 з Vds не нижче 100 В і порівняним Rds(on) при VGS = 10 В; параметри порівнюйте за однаковими умовами в datasheet. Версія IRF3710L має інший корпус – TO-262. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Силовий HEXFET
  • Корпус D2Pak підходить для великих струмів
Часто питають
Чим замінити IRF3710S?

Беріть N-канальний MOSFET у корпусі TO-263 з Vds не нижче 100 В і порівняним Rds(on) при VGS = 10 В. Порівнюйте параметри за однаковими умовами в datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим IRF3710S відрізняється від IRF3710L?

Корпусом: IRF3710S – D2Pak (TO-263), версія IRF3710L – TO-262.

Який струм витримує IRF3710S?

57 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В і 40 А при TC = 100 °C, VGS = 10 В.

Datasheet

Документація виробника: IRF3710STRLPBF (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IRF3710STRLPBF (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.