Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор IRF1018E оригінал, TO220

122,20 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

IRF1018E – N-канальний польовий транзистор 60 В, 79 А (TC = 25 °C) у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
КорпусTO-220
Напруга Vdss60 В
Струм ID (TC = 25 °C)79 А
Струм ID (TC = 100 °C)56 А
Rds(on) типово7.1 мОм (VGS = 10 В, ID = 47 А)
Rds(on) макс.8.4 мОм (VGS = 10 В, ID = 47 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В
Pd (TC = 25 °C)110 Вт
Вхідна ємність Ciss2290 пФ
Напруга Vgs max±20 В
Tj-55…+175 °C
СтанОригінал
Опис

IRF1018E – потужний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. Напруга стік-витік Vdss – 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку ID – 79 А при TC = 25 °C і VGS = 10 В, 56 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 7.1 мОм типово і 8.4 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 47 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 100 мкА), максимальна напруга затвор-витік ±20 В. Розсіювана потужність Pd – 110 Вт при TC = 25 °C, робоча температура переходу -55…+175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 2290 пФ.

Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vdss, ID, Rds(on), корпус і розпіновку з вашою схемою. Заряд затвора Qg – 46 нКл типово (ID = 47 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В), тому у заміни з помітно більшим Qg перевірте драйвер затвора.

Де застосовують

  • Синхронне випрямлення в імпульсних блоках живлення (SMPS)
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Швидкісне силове перемикання
  • Схеми з жорстким перемиканням та високочастотні схеми
Часто питають
Чим замінити IRF1018E?

Підбирайте транзистор з тим самим каналом (N), корпусом TO-220 і розпіновкою, з Vdss не нижче 60 В, а ID та Rds(on) не гірше, ніж у IRF1018E. Якщо Qg помітно більший, перевірте драйвер затвора.

Як перевірити IRF1018E мультиметром?

Виміряйте опір між усіма виводами: у справному транзисторі немає короткого замикання між стоком, витоком і затвором. Діодом тіла (стік-витік) прозвонюється в одному напрямку.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який струм витримує IRF1018E?

ID – 79 А при TC = 25 °C і VGS = 10 В та 56 А при TC = 100 °C. Імпульсний струм IDM – 315 А (імпульс, обмежений максимальною Tj).

Datasheet

Документація виробника: PD-97125 IRF1018EPbF / IRF1018ESPbF / IRF1018ESLPbF.

Параметри взято з datasheet, друге джерело (DigiKey) звірило частину значень.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

PD-97125 IRF1018EPbF / IRF1018ESPbF / IRF1018ESLPbF Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.