Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG016N04LS1W ( HYG016N04 , G016N04 , HYG016N04W ) оригінал, TO247
141,00 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG016N04LS1W (HYG016N04, G016N04, HYG016N04W) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі TO-247, оригінал. Для ключових схем, інверторів і електроінструменту.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, підсилення |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 290 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 205 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 1.2 мОм тип., 1.5 мОм макс. (Id 40 А) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 1.6 мОм тип., 2.0 мОм макс. (Id 40 А) |
| Vgs(th) | 1 В мін., 1.8 В тип., 3 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5538 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
HYG016N04LS1W – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TO-247 (в документі TO-247A-3L). Напруга стік–витік Vds 40 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id 290 А при Tc 25 °C і 205 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 1.2 мОм (тип.) і 1.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А; при Vgs 4,5 В – 1.6 мОм (тип.) і 2.0 мОм (макс.). Заряд затвора Qg 90 нКл при Vgs 10 В, розсіювана потужність Pd 250 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 5538 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц). Параметри наведено за документом HYG016N04LS1W (HUAYI).
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-247 і розпіновку: вони мають збігатися з платою. Далі порівняйте тип каналу, Vds, Id та Rds(on) за datasheet, а не за назвою. Номери HYG016N04, G016N04 і HYG016N04W – це позначення цієї самої деталі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Ключові схеми (switching application)
- Інвертори
- Електроінструмент
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HYG016N04LS1W?
Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з тією ж розпіновкою, у якого Vds не нижче 40 В, а Id і Rds(on) не гірші. Порівнюйте за datasheet, а не за назвою.
Як перевірити польовий транзистор мультиметром?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте, чи немає пробою між виводами. Для повної перевірки потрібен datasheet з розпіновкою.
Чи можна керувати HYG016N04LS1W логічним рівнем затвора?
У документі Rds(on) наведено і при Vgs 10 В (1.5 мОм макс.), і при Vgs 4,5 В (2.0 мОм макс.) при Id 40 А. Порогова напруга Vgs(th) від 1 В до 3 В при Id 250 мкА.
Документація виробника: HYG016N04LS1W (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.