Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор HYG053N10 ( HYG053N10NS2P , HYG053N10NS1P , G053N10 ) оригінал, TO220

117,50 ₴

25 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

25 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG053N10 – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TO-220 на 100 В. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникHUAYI
Напруга Vds100 В (Tc 25 °C)
Струм Id120 А (Tc 25 °C)
Струм Id при 100 °C84.8 А (Tc 100 °C)
Rds(on) typ.4.8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C; макс. 5.5 мОм)
Vgs(th)3 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В)
Заряд затвора Qg70 нКл (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А)
Вхідна ємність Ciss4036 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd187.5 Вт (Tc 25 °C)
Макс. Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

HYG053N10 – польовий транзистор з N-каналом виробництва HUAYI у корпусі TO-220. Напруга Vds – 100 В, струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C і 84.8 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) typ. – 4.8 мОм при Vgs 10 В, Id 50 А (макс. 5.5 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 3 В (діапазон 2–4 В), заряд затвора Qg – 70 нКл при Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 4036 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 187.5 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод має trr 60 нс при Isd 50 А. Параметри наведено за даташитом HYG053N10NS1P (HUAYI).

Товар – оригінал, не демонтаж. Позначення в назві (HYG053N10NS2P, HYG053N10NS1P, G053N10) – варіанти маркування цієї деталі. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу, струм, Rds(on), заряд затвора і корпус: драйвер затвора має відповідати Qg, а корпус – збігатися з вашим. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні схеми
  • Інверторні системи живлення
  • Системи керування акумуляторами
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
G042N10 канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120, Rds(on) макс. 4.2 мОм при Vgs 10 В не гірше за 5.5 мОм макс., корпус TO-220 = TO-220 Qg 119 нКл проти 70 нКл – перевірте драйвер затвора Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити HYG053N10?

З нашого каталогу підходить G042N10 (HYG042N10): той самий канал і корпус TO-220, напруга і струм не нижчі, Rds(on) менший. Перед заміною перевірте драйвер затвора за зарядом Qg.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який корпус і розпіновка?

Корпус TO-220 (за даташитом TO-220FB-3L). Перед монтажем звірте розпіновку з даташитом.

Чи є у транзистора вбудований діод?

Так, вбудований діод є: Vsd 0.9 В typ., 1.2 В макс., trr 60 нс при Isd 50 А.

Datasheet

Документація виробника: HYG053N10NS1P (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG053N10NS1P (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.