Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTOLL
СтанОригінал

Транзистор HYG015N10 ( HYG015N10NS1TA ) оригінал(100V/380A), TOLL

194,58 ₴

23 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

23 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG015N10 (HYG015N10NS1TA) – силовий N-канальний MOSFET у корпусі TOLL, оригінал. Для імпульсних перетворювачів, інверторів і систем керування батареями (BMS).

ПараметрЗначення
КорпусTOLL

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникHUAYI
КорпусTOLL
Напруга Vds100 В (VGS = 0 В)
Струм Id (25 °C)380 А
Струм Id (100 °C)268,7 А
Rds(on)1,2 мОм тип., 1,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В)
Заряд затвора Qg205 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss12300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd428,5 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. Tj175 °C
СтанОригінал
Опис

HYG015N10 (HYG015N10NS1TA) – польовий транзистор HUAYI з N-каналом у корпусі TOLL. Напруга Vds – 100 В при VGS = 0 В. Струм стоку Id – 380 А при Tc = 25 °C і 268,7 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,2 мОм (тип.) і 1,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, IDS = 100 А. Заряд затвора Qg – 205 нКл (тип.) при VDS = 80 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 12300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (тип. 3 В). Потужність розсіювання – 428,5 Вт при Tc = 25 °C, температура переходу до 175 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на канал (N), корпус TOLL і розпіновку, а далі порівнюйте Vds, Id і Rds(on) за datasheet. Якщо в заміни заряд затвора вищий, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні застосування
  • Керування живленням інверторних систем
  • Системи керування батареями (BMS)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити HYG015N10?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TOLL з тією самою розпіновкою. Порівняйте Vds (100 В), Id (380 А при 25 °C) і Rds(on) (1,5 мОм макс. при VGS = 10 В) за datasheet. Якщо заряд затвора вищий за 205 нКл, перевірте драйвер.

Чи підходить для BMS?

Системи керування батареями (BMS) входять до застосувань, які вказані в datasheet. Для вашої схеми звірте Vds, струм і Rds(on) з режимом роботи.

Чому Rds(on) вказано з умовами?

1,2 мОм (тип.) і 1,5 мОм (макс.) виміряні при VGS = 10 В і IDS = 100 А. При іншій напрузі на затворі опір буде іншим.

Datasheet

Документація виробника: HYG015N10NS1TA (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG015N10NS1TA (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.