Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG020N10NS1W ( HYG020N10 , HYG020N10W ) оригінал, TO247
329,00 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
24 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG020N10NS1W (HYG020N10, HYG020N10W) – потужний N-канальний MOSFET на 100 В у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id | 269 А (Tc 25 °C); 190 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.9 мОм тип., 2.3 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 80 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 13200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 98 нс тип. (Isd 100 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
HYG020N10NS1W – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI Microelectronics у корпусі TO-247. Напруга Vdss – 100 В. Струм стоку Id – 269 А при Tc 25 °C і 190 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) за даташитом найближчої деталі HYG020N10NS1P (HUAYI): 1.9 мОм (тип.) при Vgs 10 В і Id 100 А, максимум 2.3 мОм. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В (тип. 3) при Vds = Vgs і Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 198 нКл (тип.) при Vgs 10 В, Vds 80 В, Id 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 13200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 300 Вт при Tc 25 °C і 150 Вт при Tc 100 °C, максимальна температура переходу 175 °C. Час відновлення діода trr – 98 нс (тип.) при Isd 100 А і dI/dt 100 А/мкс.
Це оригінал, не демонтаж. Для заміни дивіться на канал, Vdss, струм Id, Rds(on) і корпус TO-247. Через великий Qg перевірте, що драйвер затвора витримає такий заряд. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключі, комутація
- Керування живленням інверторних систем
- Керування акумуляторами (battery management)
Чим замінити HYG020N10NS1W?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vdss не нижче 100 В, Id не менше 269 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 2.3 мОм при Vgs 10 В. Порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи потрібен потужний драйвер затвора?
Qg – 198 нКл (тип.) при Vgs 10 В, Vds 80 В, Id 100 А. Драйвер має швидко давати такий заряд, інакше транзистор гріється при перемиканні.
Чи збігаються параметри з даташитом точно?
Цифри взято з даташиту найближчої деталі HYG020N10NS1P, тому точну відповідність для TO-247 перевіряйте самостійно.
Найближчий datasheet: HYG020N10NS1P (HUAYI).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.