Транзистори
Демонтаж
IGBT-транзистор 75N60FL2 ( NGTB75N60FL2WG )оригінал демонтаж б/в (600V,75A),TO247
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,75 В (Vge 15 В, Ic 75 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,5 В (Vge = Vce, Ic 350 мА) |
| Заряд затвора Qg | 310 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Потужність Pd | 595 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор BT15T120 оригінал (Заміна G15N120D , 15N120HKD ) , TO3P
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (BVCES при VGE 0 В, IC 1 мА) |
| Струм колектора Ic при 25 °C | 30 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при 100 °C | 15 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 45 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,95 В (IC 15 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 81,5 нКл (VCE 960 В, IC 15 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1513 пФ (VCE 25 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор BTS141 оригінал, TO220
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, Smart SIPMOS, нижній ключ (low side) |
| Напруга Vds | 60 В (Tj = 25 °C) |
| Rds(on) | 25 мОм тип., 28 мОм макс. (VIN = 10 В, ID = 12 А, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) при 150 °C | 45 мОм тип., 56 мОм макс. (VIN = 10 В, ID = 12 А, Tj = 150 °C) |
| Поріг входу VIN(th) | 1,3–2,2 В, тип. 1,7 В (ID = 2,7 мА) |
| Струм обмеження ID(lim) | 25–50 А, тип. 35 А |
| Номінальний струм ID(ISO) | 12 А (TC = 85 °C) |
| Макс. робоча температура | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGD4536 оригінал , D-PAK (360V,220A,125W)
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга колектор–емітер Vces | 360 В (абсолютний максимум; BVCES при VGE 0 В, IC 250 мкА) |
| Імпульсний струм колектора | 220 А (Tc 25 °C, півсинусоїда, D<0,01, імпульс <1 с) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,59 В тип., 1,8 В макс. (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,66 В (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3,3 В тип., 2,4–4,0 В (IC 250 мкА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл (VCE 200 В, IC 20 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (VCE 30 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 1,0 °C/Вт (IGBT) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH60N60UFD оригінал , TO247
Немає в наявності
343,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±20 В (короткочасно ±30 В) |
| Струм колектора Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 180 А (Tc 25 °C, ширина імпульсу обмежена Tj max) |
| Розсіювана потужність Pd | 298 Вт (Tc 25 °C); 119 Вт (Tc 100 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 188 нКл (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип. / 2.4 В макс. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C); 2.1 В тип. (Tc 125 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.0 / 5.0 / 6.5 В (мін. / тип. / макс.; Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Час спаду tf | 40 / 80 нс (тип. / макс.; Vcc 400 В, Ic 60 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Пряма напруга діода Vfm | 2.0 В тип. / 2.6 В макс. (If 30 А, Tc 25 °C); 1.8 В тип. (Tc 125 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 47 нс (If 30 А, diF/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C); 179 нс (Tc 125 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.33 °C/Вт (IGBT, макс.); діод 1,1 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (фланець – колектор) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGPF4633 , TO220F
Немає в наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 330 В |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм колектора Ic pulse | 300 А (Tc 25 °C, напівсинусоїдний імпульс, D < 0,01, обмежено Tj max) |
| Розсіювана потужність Pd | 30.5 Вт (Tc 25 °C); 12.2 Вт (Tc 100 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.55 В тип. / 1.8 В макс. (Ic 70 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.4 / 3.3 / 4.0 В (мін. / тип. / макс.; Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Час спаду tf | 260 нс (Vcc 200 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, резистивне навантаження, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4.1 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220F (виводи: G, C, E) |
IGBT-транзистор FGPF4633 оригінал , TO220F (Заміна для FGT313 , GT30F126 , 30F126 )
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 330 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Імпульсний струм колектора Ic | 300 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, D < 0.01) |
| Напруга насичення Vce(sat) (20 А) | 1.1 В (типово, IC = 20 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) (70 А) | 1.55 В (типово, IC = 70 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.4–4.0 В (IC = 250 µA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (типово, VCE = 200 V, IC = 20 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 30.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | 30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGW40N120HD ( 40G120HD ) оригінал ( заміна для FGW40N120WD , 40G120WD ), TO247
Немає в наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 70 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,8 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,0 В (Vce 20 В, Ic 40 мА) |
| Заряд затвора Qg | 300 нКл (Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Потужність Pd | 340 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP07N120 ( SGP07N120 ) (1200V,16.5A,125W) , TO220
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 500 µA) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 16.5 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 7.9 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3.1 В (типово, IC = 8 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3–5 В (IC = 350 µA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 8 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Стійкість до КЗ | 10 мкс (VGE = 15 V, 100 V ≤ VCC ≤ 1200 V, Tj ≤ 150 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор GP70N33 оригінал демонтаж б/в (заміна для FGPF70N33 ) , TO220F
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | GP70N33 |
| Корпус | TO-220F |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30J124 ( 30J124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( GT30J122 , 30J122 )
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Ta = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А (Ta = 25 °C; імпульсний ICP 100 А, 1 мс) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,8 В макс. (IC = 50 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Напруга відсікання VGE(off) | 3,0–6,0 В (IC = 50 мА, VCE = 5 В) |
| Час спаду tf | 0,25 мкс тип., 0,40 мкс макс. (IC = 50 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT45F122 , TO220F
Немає в наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | GT45F122 |
| Корпус | TO-220F |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW30NC60KD ( STGW30NC60KD ) , TO247 оригінал демонтаж б/в, TO247
Немає в наявності
296,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 60 А (Tc = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 28 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,7 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,5–6,5 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий (ultra fast), IF = 30 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW40NC60KD ( STGW40NC60KD ) , TO247
Немає в наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Струм колектора Ic | 70 А (Tc 25 °C); 38 А (Tc 100 °C), розрахункові за формулою з документа |
| Імпульсний струм колектора Icp | 220 А (ширина імпульсу обмежена Tj max) |
| Повна розсіювана потужність Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 135 нКл (Vce 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.1 В тип. / 2.7 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C); 1.9 В тип. (Tc 125 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.5 / 6.5 В (мін. / макс.; Vce = Vge, Ic 250 мкА) |
| Час спаду струму tf | 87 нс (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C); 130 нс (Tc 125 °C) |
| Втрати вимкнення Eoff | 716 мкДж (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C); 1200 мкДж (Tc 125 °C) |
| Час витримки короткого замикання | 10 мкс (Vce = 0,5 V(br)ces, Tj 125 °C, Rg 10 Ом, Vge 12 В) |
| Вбудований діод | є, надшвидкий (ultra fast free-wheeling) |
| Пряма напруга діода Vf | 2.4 В тип. (If 30 А, Tc 25 °C); 1.8 В тип. (Tc 125 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 45 нс (If 30 А, Vr 50 В, di/dt 100 А/мкс, Tc 25 °C); 100 нс (Tc 125 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.5 °C/Вт (IGBT, макс.); діод 1,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А (Tc = 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В тип., 1,8 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 195 нКл (VCC = 1080 В, IC = 20 А) |
| Потужність Pd | 310 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) , TO-247
Немає в наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 1 mA) |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (типово, IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.1–6.4 В (IC = 0.7 mA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 30 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 390 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор H30R1353 ( IHW30N135R3 ) , TO247(1350V,30A,349W)
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic при 25 °C | 60 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при 100 °C | 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 90 А |
| Vce(sat) | 1,65 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В) |
| Потужність Pd | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1353 ( IHW30N135R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247 (1350V,30A,349W)
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом (Reverse-conducting) |
| Напруга Vce | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 60 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 90 А |
| Vce(sat) тип. | 1,65 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,8 В (IC 0,75 мА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В) |
| Потужність Ptot | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1353 ( IHW40N135R3 ) , TO247
Немає в наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1350 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А (Tc 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А (Tc 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,8 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 365 нКл (Vcc 1080 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Час спаду tf | 43 нс (Tvj 25 °C, Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 0/15 В, Rg 7,5 Ом) |
| Вбудований діод | так, монолітний, для м’якої комутації |
| Пряма напруга діода Vf | 1,65 В (If 40 А, Vge 0 В, Tvj 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Ptot | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор IRG4BC40W-S ( G4BC40W-S ) оригінал, D2PAK
Немає в наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | n-канал |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 40 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 20 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 2.05 В (типово, IC = 20 A, VGE = 15 V, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл (типово, IC = 20 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30F оригінал (600V,31A,100W) , TO-247
Немає в наявності
163,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 A, VGE = 15 V, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30FD оригінал , TO-247
Немає в наявності
145,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | так (HEXFRED, ультрашвидкий) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG7IC28U (600V,225A) оригінал , TO220F
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, ICE = 1,0 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 25 А (TC = 25 °C, VGE = 15 В) |
| Струм Ic при 100 °C | 12 А (TC = 100 °C, VGE = 15 В) |
| Піковий струм Irp | 225 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, шпаруватість не більше 0,02, ton = 1 мкс) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,70 В (typ, макс. 1,95 В; VGE = 15 В, ICE = 40 А, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2,2–4,7 В (VCE = VGE, ICE = 250 мкА) |
| Напруга Vge | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (typ; VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak (TO-220F) |
| Виробник | International Rectifier |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP3049 оригінал демонтаж б/в , TO-3P (330V,65A)
Немає в наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор (плазмові панелі) |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм колектора Ic | 65 А |
| Імпульсний струм колектора Ic(peak) | 330 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.4 В |
| Час наростання tr | 150 нс |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK
Немає в наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 360 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А (Tc = 25 °C) |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В (typ, макс. 2 В; IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 2,5–5 В (VCE = 10 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (typ; VGE = 15 В, VCE = 150 В, IC = 30 А) |
| Потужність Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Час спаду tf | 150 нс (typ) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Renesas Electronics |
IGBT-транзистор RJP63G4 , D2PAK
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP63K2 , D2PAK
Немає в наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсікання затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл тип. (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс тип. (Ic 35 А, Rl 8,5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсічки затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс (Ic 35 А, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Rl 8,5 Ом, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 5 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор SP25N135T оригінал(1350V,25A) , TO-3P
Немає в наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, ID = 0,5 мА, мін.) |
| Струм Ic | 25 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 25 А, Tc = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0–6,5 В, тип. 5,2 В (VGE = VCE, ID = 0,4 мА) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Xiner |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQD5N60C ( заміна для FCD5N60 , SVF5N60D , IRFU430A , IRFU420A ), D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, QFET |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 2,8 А |
| Струм Id (100 °C) | 1,8 А |
| Rds(on) | 2,0 Ом (тип.), 2,5 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 1,4 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 15 нКл (тип.), 19 нКл (макс.) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Pd | 49 Вт (Tc 25 °C) |
| Діапазон температур | –55…150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | onsemi |
Транзистор 2N2222A ( KSP2222A ) , to92
Немає в наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 40 В (IC 10 мА, IB = 0) |
| Напруга Vcbo | 75 В (IC 10 мкА, IE = 0) |
| Струм колектора Ic | 0.6 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (VCE 10 В, IC 150 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.3 В (макс., IC 150 мА, IB 15 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 300 МГц (мін., VCE 20 В, IC 20 мА, f 100 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N2907A ( 2907A , KSP2907A , PN2907A ) , to92
Немає в наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 60 В (2N2907A, IC 10 мА) |
| Напруга Vcbo | 60 В |
| Струм колектора Ic | 600 мА (постійний) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (VCE 10 В, IC 150 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.4 В (макс., IC 150 мА, IB 15 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 200 МГц (мін., IC 50 мА, VCE 20 В, f 100 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N3906 , to92
Немає в наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (IC -1 мА, IB = 0) |
| Напруга Vcbo | -40 В (IC -10 мкА, IE = 0) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (VCE -1 В, IC -10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.4 В (макс., IC -50 мА, IB -5 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C, виводова рамка з Cu) |
| Гранична частота fT | 250 МГц (мін., VCE -20 В, IC -10 мА, f 100 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N7002 , sot23
Немає в наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 300 мА (TA 25 °C); імпульсний 1200 мА |
| Потужність Pd | 350 мВт (TA 25 °C, на платі з оксиду алюмінію 10x8x0,6 мм) |
| Вхідна ємність Ciss | 18 пФ (тип., Vds 25 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,1–2,35 В (Vds=Vgs, Id=250 мкА, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор 2SA1046 , TO220F
Немає в наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Напруга Vceo | -100 В (V(BR)CEO мін., IC -10 мА) |
| Напруга Vcbo | -100 В |
| Струм колектора Ic | -15 А (постійний) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 3000 (мін., IC -3 А, VCE -3 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SA935
Немає в наявності
9,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -80 В (V(BR)CEO, IC -2 мА, IB = 0) |
| Напруга Vcbo | -80 В (V(BR)CBO, IC -50 мкА, IE = 0) |
| Імпульсний струм колектора ICM | -0.7 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 82–390 (VCE -3 В, IC -100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.4 В (макс., IC -500 мА, IB -50 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 0.75 Вт (Tamb 25 °C) |
| Гранична частота fT | 100 МГц (мін., VCE -10 В, IC -50 мА) |
| Діапазон температур переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SA958 , TO220
Немає в наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -200 В (Ta 25 °C; V(BR)CEO мін. при Ic -25 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | -200 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -2 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40 (мін., Ic -0,7 А, Vce -10 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -1,5 В (макс., Ic -0,7 А, Ib -70 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор 2SB631K
Немає в наявності
27,26 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -120 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1 А (Ta 25 °C; імпульсний -2 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 8 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 60–320 (Vce -5 В, Ic -50 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,15 В тип., макс. -0,4 В (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
| Гранична частота fT | 110 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -50 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Виробник | SANYO (onsemi) |
Транзистор 2SB734
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -60 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1,0 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 1,0 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 135–600 (тип. 250; Vce -2 В, Ic -100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,35 В тип., макс. -0,60 В (Ic -1 А, Ib -50 мА) |
| Гранична частота fT | 80 МГц тип., мін. 50 МГц (Vce -2 В, Ie 10 мА) |
| Виробник | NEC |
Транзистор 2SB772 , TO126 ( 3CA8772 , CA8772 )
Немає в наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -30 В (Ta 25 °C; Ic -10 мА, Ib 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C; Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Струм колектора Ic | -3 А (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 60–400 (Vce -2 В, Ic -1 А) |
| Гранична частота fT | 50 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -0,1 А, f 10 МГц) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |