Транзистори
Демонтаж
Транзистор K40T1202 ( IKW40N120T2 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vce | 1200 В |
| Струм колектора Ic (110 °C) | 40 А (Tj = 150 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.75 В тип., 2.2 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 40 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.2–6.4 В (тип. 5.8 В) |
| Заряд затвора Qg | 192 нКл (Vcc = 960 В, Ic = 40 А, VGE = 15 В) |
| Час витримки короткого замикання | 10 мкс |
| Температура переходу Tj (макс.) | 175 °C |
| Вбудований діод | так, м’який швидкий Emitter Controlled |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EES5 ( IKW50N65ES5 ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 S5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 60,5 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,35 В тип. / 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Діод у корпусі | є, RAPID 1 |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 274 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K50EF5 ( IKW50N65F5 ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Маркування | K50EF5 |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено виводами) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 56 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C) | 1,60 В типово |
| Вбудований діод | є (RAPID1) |
| Ptot (Tc 25 °C) | 305 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор K50H603 оригінал ( IKW50N60H3 ) , TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В (тип.), 2,30 В (макс.) при IC 50 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 315 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2960 пФ |
| Потужність розсіювання Ptot | 333 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K50MCH3 ( IKQ50N120CH3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежений Tvjmax); 50 А (Tc 135 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (обмежений Tvjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.00 В тип., 2.35 В макс. (Vge=15 В, Ic=50 А) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.90 В тип., 2.30 В макс. (Vge=0 В, If=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc=960 В, Ic=40 А, Vge=15 В) |
| Час спаду tf | 30 нс (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1.90 мДж (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Розсіювана потужність Ptot | 652 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…175 °C |
| Тепловий опір IGBT перехід–корпус | 0.23 К/Вт (макс.) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K75EEH5 ( IKW75N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Номер | IKW75N65EH5 |
| Маркування | K75EEH5 |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 75 А (Tc 100 °C); 90 А (Tc 25 °C, обмежено виводами) |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,10 В макс. (Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл (Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Діод | вбудований, RAPID 1 |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор KEA20N50 оригінал демонтаж (заміна для KEA20N40 ) , TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Тип | польовий транзистор (MOSFET) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор KEA25N50 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор KEA30N50A оригінал демонтаж (заміна для KEA30N50 , KEA30N50C ) , TO247
В наявності
338,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 30 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В) | 200 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 460 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор KF7N60F ( KF7N60 ) оригінал , TO220F
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vdss | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4 А |
| Rds(on) | 0,95 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Qg | 19 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Pd | 41 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KF9N25D ( KF9N25 ) оригінал ( заміна для FQD9N25 , TK8P25DA ) , D-PAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 250 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 7,5 А (Tc 25 °C), 4,74 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,31 Ом тип., до 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,75 А) |
| Vth | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 14,5 нКл тип. (Vds 200 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 560 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 54,3 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF30N65FDA ( 30N65FDA ) оригінал, TO220F
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF40N65KDC ( 40N65KDC ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Ta=25 °C) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.75 В (VGE=15 В, IC=40 А, Ta=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc=25 °C) | 208 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF60N65KDF ( 60N65KDF ) оригінал (заміна для KGF50N65KDF , 50N65KDF ), TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 650 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | 20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Vce(sat) | 1.77 В тип., 2.2 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 60 А, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 340 Вт (Tc 25 °C); 170 Вт (Tc 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vcc = 400 В, Vge = 15 В, Ic = 60 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2981 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGT15N60FDA ( 15N60FDA ) оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 250 мкА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 15 А (TC 25 °C, TO-220IS) |
| Струм Ic (100 °C) | 7.5 А (TC 100 °C, TO-220IS) |
| Vce(sat), типове | 1.7 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (Vcc 300 В, Vge 15 В, Ic 15 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1270 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 35 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KJ014N10T ( заміна для KJ015N10T , KJ023N10T ) , TOLL
В наявності
202,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TOLL |
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
Транзистор KNP2404A оригінал, TO220
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 190 А (Tc 25 °C, обмеження кристалом; обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2.2 мОм тип., 3.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А) |
| Vgs(th) | 2 В мін., 4 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (Vds 40 В, Vgs 10 В, Id 32 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6010 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 123 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KNP9120A оригінал, TO220
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 40 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 50 мОм тип., 65 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип., 120 нКл макс. (Vdd 100 В, Id 20 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Пряма напруга діода Vsd | 1.5 В макс. (Vgs 0 В, Is 40 А) |
| Час відновлення діода trr | 280 нс тип. (If 20 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KSP44 ( MPSA44 ) оригінал, to92
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Ic 1 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 500 В (Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ie 100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 300 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–200 (Vce 5 В, Ic 1 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.30 В макс. (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц мін. (Vce 20 В, Ic 10 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | luJing |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LND20N65 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (25 °C) | 20 А |
| Струм Id (100 °C) | 12.5 А |
| Rds(on) | 0.5 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Qg | 58.3 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2962 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 45 Вт (TO-220F, TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Lonten |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LSB65R099GF оригінал, TO247
В наявності
301,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LONTEN |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 26 А |
| Rds(on) | 0.086 Ом типово, 0.099 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл типово (Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 278 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LSD65R280HT оригінал, TO220F
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lonten |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 9,8 А |
| Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (тип. 3,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (VDD = 400 В, ID = 7,5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1040 пФ (Vds 100 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 33,2 Вт (TO-220MF, Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LX3205A оригінал , TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 110 А |
| Опір Rds(on) | 6.5 мОм тип., VGS = 10 В, ID = 55 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | LingXun |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magna 60R280Q ( MMF60R280Q ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Напруга Vdss | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 13,8 А (Tc 25 °C); 8,7 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 41,4 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А, Tc 25 °C) |
| Qg | 25 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 13,8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 941 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 0,25 мА) |
| Vgs | ±30 В (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magna 60R360P ( 60R360P7 , MMD60R360P, MMD60R360PRH ) , DPAK
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N (super junction) |
| Напруга Vds | 600 В (650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.8 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr | 375 нс (ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Vsd | 1.4 В макс. (ISD 11 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор Magnachip MDP1932 ( MDP1932TH ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип | N-канал, trench |
| Напруга Vdss | 80 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 120 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 175 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id | 110 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,0 мОм типово, 3,4 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В, типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 7.2 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgss | ±20 В |
| Потужність Pd | 209 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор MD1802FX оригінал демонтаж
В наявності
68,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–8,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор MD1803DFX оригінал демонтаж ( ST1803DFX , ST1803DHI , SY1803 , MD2009DFX )
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим діодом |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 10 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 2 В (макс., IC = 5 А, IB = 1,25 А) |
| hFE | 5,5–7,5 (IC = 5 А, VCE = 5 В) |
| Vf діода | 1,6 В (макс., IF = 5 А) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, виводи – радіатор) |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MD20N65 оригінал, TO3P
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) макс. | 0.46 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3120 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD1051 (150V,28A,0.046R) , D-PAK(Заміна для IRFR18N15D )
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip Semicon |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 28 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 46 мОм макс. (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Qg | 19,6 нКл тип. (VDS 75 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1270 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,2–3,2 В |
| Pd | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор MDD14N25 оригінал (250V,17A)( Заміна для FQD6N25 , FDD7N25LZ ) , D-PAK
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мінімум) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 10,2 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 6,4 А |
| Імпульсний струм Idm | 40,8 А |
| Rds(on) | 0,22 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS 10 В, ID 5,1 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (VDS 200 В, ID 14 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 741 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 69,4 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус Rthjc | 1,8 °C/Вт |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD1752 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 50 А при TC = 25 °C; 15.2 А при TA = 25 °C |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 8.0 мОм (макс.), 6.1 мОм (тип.) при ID = 14 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 10.5 мОм (макс.), 8.2 мОм (тип.) при ID = 11 А |
| Заряд затвора Qg | 26.4 нКл (тип.) при VDS = 20 В, ID = 14 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1.0–3.0 В при ID = 250 мкА (тип. 1.7 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт при TC = 25 °C (3,1 Вт при TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | MagnaChip Semiconductor |
Транзистор MDD3752 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET P-канал (Trench) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | -40 В |
| Струм Id (TC 25 °C, VGS=-10 В) | -43 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | -27 А |
| Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-20 А) | 17 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-10 А) | 25 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1…-3 В |
| Заряд затвора Qg | 44,1 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2088 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 50 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор MDD5N40 ( D5N40 , MDD5N40RH , MDIS5N40 ) оригінал, D-PAK
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vdss | 400 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 3,4 А (Tc 25 °C); 2,15 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,2 Ом тип., до 1,6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 1,7 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD5N50 ( MDD5N50RH ) оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 4.4 А при Tc 25 °C; 2.8 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 1.15 Ом (тип.), 1.4 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=2.2 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 12.2 нКл (тип.), 16 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 70 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N60 ( MDF11N60TH , 11N60 ) оригінал ( заміна для 11N60ES , 11N60E , FMV11N60ES , FQPF11N60 ), TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.55 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 38.4 нКл (Vds 480 В, Id 11 А, Vgs 10 В, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 49 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N65B оригінал ( MDF11N65BTH , 11N65 )( заміна для MMF65R600Q , 65R600Q , SMK0965G , SMK0965F , FQPF11N40C ) , TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 12 А (Tc 25 °C); 7.7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом макс., 0.55 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 31 нКл тип. (Vds 520 В, Id 12 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 49.6 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF18N50B оригінал ( MDF18N50BTH )( заміна для MDF18N50G , MDF18N50 ) , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0,22 Ом тип., 0,27 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 48 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2490 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 37 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |