Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор Magna 60R360P ( 60R360P7 , MMD60R360P, MMD60R360PRH ) , DPAK
107,16 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
60R360P (MMD60R360P, MMD60R360PRH) – N-канальний суперперехідний польовий транзистор MagnaChip у корпусі DPAK для PFC, імпульсних перетворювачів і адаптерів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N (super junction) |
| Напруга Vds | 600 В (650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.8 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr | 375 нс (ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Vsd | 1.4 В макс. (ISD 11 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
60R360P (MMD60R360P) – N-канальний MOSFET виробництва MagnaChip за технологією super junction, корпус TO-252 (DPAK). Напруга Vds 600 В, 650 В при максимальній температурі переходу. Струм стоку Id 11 А при Tc 25 °C і 6.95 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0.35 Ом типово, 0.38 Ом максимум при VGS 10 В, ID 3.8 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, типово 3 В. Заряд затвора Qg 28 нКл при VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А. Вхідна ємність Ciss типово 890 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 83 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Час зворотного відновлення діода trr 375 нс при ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс.
Маркування на корпусі – 60R360P. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N), Vds, Id, Rds(on) при VGS 10 В, заряд затвора і розпіновку в тому самому корпусі DPAK, а також datasheet обох деталей. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Каскади PFC у джерелах живлення, імпульсні перетворювачі, адаптери, керування двигунами, DC-DC
Які ще номери має ця деталь?
У назві вказано також 60R360P7, MMD60R360P і MMD60R360PRH.
Чи підходить для PFC і джерел живлення?
Так, основні застосування за документом – каскади PFC у джерелах живлення, імпульсні перетворювачі та адаптери.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, типово 3 В при VDS = VGS, ID 0.25 мА.
На що звернути увагу при заміні?
На Vds 600 В, Id 11 А при Tc 25 °C, Rds(on) до 0.38 Ом при VGS 10 В і корпус DPAK. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Документація виробника: MMD60R360P (MagnaChip).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.