Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magnachip MDP1932 ( MDP1932TH ) оригінал, TO220
216,20 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MDP1932 (MDP1932TH) – N-канальний польовий транзистор Magnachip на 80 В у корпусі TO-220. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип | N-канал, trench |
| Напруга Vdss | 80 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 120 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 175 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id | 110 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,0 мОм типово, 3,4 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В, типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 7.2 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgss | ±20 В |
| Потужність Pd | 209 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
MDP1932 (MDP1932TH) – одноканальний N-канальний польовий транзистор Magnachip за технологією trench у корпусі TO-220. Оригінал. Напруга стік-витік Vdss – 80 В (Ta 25 °C). Струм стоку Id – 120 А з обмеженням корпусом і 175 А з обмеженням кристалом (Tc 25 °C, Vgs 10 В), 110 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3,0 мОм типово і 3,4 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C). Розсіювана потужність Pd – 209 Вт при Tc 25 °C. Напруга затвор-витік Vgss – ±20 В. Вхідна ємність Ciss типово 7.2 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц).
Виробник вказує застосування: синхронне випрямлення в серверних і загальних джерелах живлення. Заряд затвора Qg – 105 нКл (Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В, типово), тому драйвер має бути розрахований на такий заряд. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте напругу, струм, опір каналу при Vgs 10 В і корпус TO-220. Доставка з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в серверних і загальних джерелах живлення
Чим замінити MDP1932?
Шукайте N-канальний транзистор у TO-220 з Vdss не менше 80 В, з таким самим або кращим струмом при Tc 100 °C (у MDP1932 – 110 А) і Rds(on) не гірше за 3,4 мОм макс. при Vgs 10 В. Якщо у заміни більший заряд затвора, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим MDP1932 відрізняється від MDP1932TH?
Це один транзистор: MDP1932TH – повне позначення, яке вказане в дужках у назві.
Чому в datasheet два значення струму стоку?
Для Tc 25 °C виробник наводить 175 А за обмеженням кристалом і 120 А за обмеженням корпусом. Для розрахунку беріть менше значення.
Документація виробника: MDP1932 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 120A, 3.4 mOhm, Version 1.3.
Параметри наведено за datasheet виробника Magnachip (Version 1.3, Jun. 2021).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.