Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LSB65R099GF оригінал, TO247
301,27 ₴
29 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
29 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
LSB65R099GF – N-канальний високовольтний польовий транзистор LONTEN у корпусі TO-247 для PFC, імпульсних блоків живлення та ДБЖ. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LONTEN |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 26 А |
| Rds(on) | 0.086 Ом типово, 0.099 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл типово (Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 278 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
LSB65R099GF – N-канальний MOSFET виробництва LONTEN у корпусі TO-247. Напруга Vds 650 В. Струм стоку Id 40 А при Tc 25 °C і 26 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0.086 Ом, максимум 0.099 Ом при Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В (типово 3.0 В). Заряд затвора Qg типово 66 нКл (Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В). Вхідна ємність Ciss типово 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 278 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод є: Vsd макс. 1,2 В при If 20 А, trr 198 нс.
Стан: оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за каналом (N), напругою Vds, струмом Id, опором Rds(on) при тому самому Vgs і корпусом TO-247. Прямі заміни за даними виробника: LSD65R099GF, LSE65R099GF. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Чим замінити LSB65R099GF?
За даними виробника, прямі заміни – LSD65R099GF та LSE65R099GF. Їх зараз немає в нашому каталозі. Інша заміна – N-канальний MOSFET у TO-247 з Vds не нижче 650 В, достатнім Id і Rds(on) не гіршим за 0.099 Ом при Vgs 10 В.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого підходить LSB65R099GF?
За даними datasheet – для корекції коефіцієнта потужності (PFC), імпульсних блоків живлення (SMPS) і джерел безперебійного живлення (UPS).
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так. Vsd макс. 1,2 В при If 20 А, trr 198 нс (Vr 50 В, If 20 А, dIf/dt 100 А/мкс).
Документація виробника: LSB65R099GF (LONTEN).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.