Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N65B оригінал ( MDF11N65BTH , 11N65 )( заміна для MMF65R600Q , 65R600Q , SMK0965G , SMK0965F , FQPF11N40C ) , TO220F
94,00 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MDF11N65B – N-канальний польовий транзистор MagnaChip на 650 В у корпусі TO-220F для імпульсних блоків живлення і PFC. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 12 А (Tc 25 °C); 7.7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом макс., 0.55 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 31 нКл тип. (Vds 520 В, Id 12 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 49.6 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
MDF11N65B – N-канальний польовий транзистор виробництва MagnaChip у корпусі TO-220F. За даташитом MDF11N65B (MagnaChip): напруга стік-витік Vds 650 В при Ta 25 °C, струм стоку Id 12 А при Tc 25 °C і 7.7 А при Tc 100 °C (обмежено максимальною температурою переходу). Опір відкритого каналу Rds(on) до 0.65 Ом (тип. 0.55 Ом) при Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg 31 нКл (тип.) при Vds 520 В, Id 12 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 49.6 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Деталь також відома як MDF11N65BTH і 11N65. MDF11N65B може замінити MMF65R600Q, 65R600Q, SMK0965G, SMK0965F і FQPF11N40C; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка: Запоріжжя, Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Сильнострумове швидке перемикання та загальне призначення
Що може замінити MDF11N65B?
MDF11N65B може замінити MMF65R600Q, 65R600Q, SMK0965G, SMK0965F і FQPF11N40C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує MDF11N65B?
Id 12 А при Tc 25 °C і 7.7 А при Tc 100 °C; значення обмежені максимальною температурою переходу.
Для чого використовують MDF11N65B?
За даташитом – в імпульсних блоках живлення (SMPS), схемах корекції коефіцієнта потужності (PFC) і для швидкого перемикання великих струмів.
Документація виробника: MDF11N65B (MagnaChip).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діод UF5408 (1000V,3A,75ns) , корпус DO-27
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA 25 °C) |
| Діюча напруга Vrms | 700 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 3.0 А (виводи 9,5 мм, TA 55 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 150 А (напівсинусоїда 8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1.7 В (If 3,0 А, TA 25 °C, максимум) |
| Час зворотного відновлення trr | 75 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А, Tj 25 °C, максимум) |
| Ємність переходу Cj | 36 пФ (4,0 В, 1 МГц, типове) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | DO-201AD |
| Корпус (докладно) | DO-27 (у datasheet DO-201AD) |
| Конфігурація | одиночний |
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.