Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N60 ( MDF11N60TH , 11N60 ) оригінал ( заміна для 11N60ES , 11N60E , FMV11N60ES , FQPF11N60 ), TO220F
94,00 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
11 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MDF11N60 – N-канальний MOSFET Magnachip на 600 В і 11 А у корпусі TO-220F для імпульсних блоків живлення та PFC. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.55 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 38.4 нКл (Vds 480 В, Id 11 А, Vgs 10 В, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 49 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
MDF11N60 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва Magnachip у корпусі TO-220F. Це оригінальна деталь, не демонтаж. Напруга стік-витік Vdss – 600 В (Ta 25 °C). Струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C (обмежений максимальною температурою переходу) і 6.9 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 0.55 Ом, типово 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C). Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА). Заряд затвора Qg – 38.4 нКл (Vds 480 В, Id 11 А, Vgs 10 В, тип.). Вхідна ємність Ciss типово 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 49 Вт при Tc 25 °C.
У назві товару вказані номери 11N60ES, 11N60E, FMV11N60ES і FQPF11N60: MDF11N60 може замінити ці транзистори. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Корпус TO-220F повністю ізольований, тож пластину можна кріпити до радіатора без слюдяної прокладки. Підбираючи заміну, звіряйте напругу, струм, Rds(on) і заряд затвора: якщо Qg вдвічі більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- SMPS (імпульсні блоки живлення)
- PFC
- Високострумове швидкодіюче комутування
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити MDF11N60?
Підбирайте за datasheet: той самий N-канал, напруга не нижча за 600 В, струм і Rds(on) не гірші, корпус TO-220F. Якщо Qg удвічі більший, перевірте драйвер.
Які транзистори може замінити MDF11N60?
За назвою товару – 11N60ES, 11N60E, FMV11N60ES і FQPF11N60. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи потрібна ізолююча прокладка для TO-220F?
Ні, корпус TO-220F повністю ізольований, пластину можна кріпити до радіатора напряму.
Документація виробника: MDF11N60 N-channel MOSFET 600V, Version 2.4.
Datasheet виробника (Magnachip, версія 2.4) підтверджує параметри; друге джерело й статус виробництва не підтверджені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.