Транзистори
Транзистор FQA12N90 ( FQA12N90C ) оригінал (12A,900V), TO-3P
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 900 В |
| Струм Id | 12 А |
| Опір Rds(on) | до 1,2 Ом (Vgs = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 67,5 нКл |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 оригінал ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ), TO-3P
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16.5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9.9 А |
| Опір Rds(on) макс. | 380 мОм (Vgs 10 В, Id 8,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA20N50C ( 20N50C ) оригінал (заміна для FQA20N50 ) , TO-3P
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA20N65D ( FQA20N65) оригінал ( заміна для FQA20N65C , FHA20N65 )(650V,20A), TO-3P
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,40 Ом тип., 0,50 Ом макс. (Vgs = 10 В) |
| Потужність Pd | 260 Вт (Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50 оригінал , TO-3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor) |
| Напруга Vdss | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C); 15.2 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 96 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл типово (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P (у datasheet TO-3PN) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50D оригінал ( заміна для FQA24N50 , FQA24N50F , FDA24N50 , SVF23N50 , 23N50 ), TO-3P
В наявності
134,89 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 200 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA28N50C ( FQA28N50 ) оригінал (заміна для STW28NM50N )(28A,500V) , TO247
В наявності
114,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 28,4 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,126 Ом тип., 0,16 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 14,2 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл тип., 140 нКл макс. (Vds 400 В, Id 28,4 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 310 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 440 нс (Vgs 0 В, Is 28,4 А, dIf/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA28N50C оригінал (заміна для FQA28N50 , FQA28N50F , FDA28N50 ) , TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 28.4 А |
| Струм Id (100 °C) | 18 А |
| Rds(on) | 126 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 14,2 А), макс. 160 мОм |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність Pd | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA30N50 ( FQA30N50C , 30N50 ) оригінал (30A,500V), TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc=25 °C, безперервний) |
| Rds(on) | 250 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc=25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C макс. |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA30N60 ( 30N60 ) оригінал (30A,600V), TO247
В наявності
249,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Струм стоку | 30 А |
| Напруга Vds | 600 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FQA55N25 оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Тип | N-канал, QFET, режим збагачення |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм Id | 55 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on), макс. | 40 мОм (VGS = 10 В, ID = 27,5 А) |
| Qg, тип. | 140 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Crss, тип. | 125 пФ |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQF10N65 ( FQF10N65C ) оригінал (Заміна для MDF10N65B , SVF10N65F , MDF10N65 , HF10N65 , FHF10N65 , ISA10N65A , OSPF10N65C , PF10N65 , FQPF10N65C , YR10N65 , FIR10N65F , HM10N65F , TK6A65D , K4101 , 2SK4101 ), TO220F
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6,2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 5 А | 0,9 Ом макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (типово) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF12N65DF ( FQF12N65 , FQF12N65D , FQF12N65C ) оригінал(12A,650V), TO220F
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 12 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 54 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF13N50 ( FQF13N50D2 ) оригінал (заміна для KEF13N50 , FIR13N50F )(13A,500V), TO220F
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id | 13 А |
| Опір каналу Rds(on) | 0,44 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF15N65CF ( 15N65CF ) оригінал (заміна для 15N65DF , FQF15N60 , MDF15N60G , AOTF15S60 , FQPF15N60C , SPA15N60C3 , JCS15N60FH , SIHF15N60E , FDPF15N65 )(15A,650V), TO220F
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм стоку Id | 15 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,65 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 48,5 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 52 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF16N65DF ( 16N65 ) оригінал (заміна для PY16N65MF , 16N65MF , STF16N65M2 , 16N65M2 , OSPF16N65 , PF16N65 )(16A,650V), TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (безперервний; корпус TO-263 у документі) |
| Rds(on) | 0,55 Ом макс. (типово 0,45 Ом; VGS=10 В, ID=8 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (типово; VDD=325 В, ID=16 А, VGS=0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2442 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc=25 °C; корпус TO-263 у документі) |
| Температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF18N50D ( FQF18N50CF , FQF18N50 , 18N50CF , 18N50D , 18N50 ) оригінал ( Заміна для SIF18N50 , SIF18N50C , JCS18N50FH , HFS18N50U , FXN18N50F ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Rds(on) typ. | 0.30 Ом (Vgs 10 В, Id 6.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.38 Ом) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (Vdd 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF20N50D ( FQF20N50DFH , FQF20N50CF )( Заміна для ITA20N50R , HF20N50 , OSF20N50C , PTA20N50A , STP20NM50FP , P20NM50FP ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ADL |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 10 А | 0,34 Ом макс. (типово 0,28 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 71 нКл (типово) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF7N65 оригінал (7A,650V)(заміна для MDF7N65B , SW7N65, TF7N65 , AOTF7N65 , PF7N65F , JCS7N65FB , KF7N65 , KF7N65F , LGM7N65C , TSF7N65M , PW7N65F ), TO220F
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм Id | 7 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 1,4 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQP4N90C ( 4N90C ) , TO220
В наявності
98,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 900 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 4 А (TC = 25 °C); 2.3 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 4.2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2 А) |
| Потужність Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
Демонтаж
Транзистор FQP65N06 оригінал демонтаж (заміна для FDP65N06 , 65N06 ), TO220
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N (QFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 65 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 46.1 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | до 16 мОм при VGS = 10 В, ID = 32.5 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQPF10N20C , TO220F
В наявності
43,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 200 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 9.5 А (TC = 25 °C); 6.0 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.75 А) |
| Потужність Pd | 38 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 395 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
Транзистор FQPF4N90C оригінал, TO220F
В наявності
88,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 4 А |
| Струм Id (100 °C) | 2.3 А |
| Rds(on) | 4.2 Ом макс., 3.5 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип., 22 нКл макс. (Vds = 720 В, Id = 4 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Потужність Pd | 47 Вт (25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | onsemi (ex Fairchild) |
| Робоча температура переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF7N80C оригінал, TO220F
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C, BVDSS при Id 250 мкА, Vgs 0 В, мін.) |
| Струм стоку Id | 6.6 А (Tc 25 °C); 4.2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) максимальний | 1.9 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Опір Rds(on) типовий | 1.57 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл типовий (Vds 640 В, Id 6.6 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 56 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2.25 °C/Вт макс. |
| Час відновлення діода trr | 650 нс типовий (Vgs 0 В, Is 6.6 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF8N80C оригінал, TO220F
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vdss | 800 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 8 А (TC 25 °C), 5.1 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 32 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 1.55 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Розсіювана потужність Pd | 59 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF9N50 , TO220F
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (ID 250 мкА, VGS 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 9 А |
| Струм Id (100 °C) | 5.4 А |
| Опір Rds(on) | 0.70 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS 10 В, ID 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл тип. (VDS 400 В, ID 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 44 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор FQPF9N90 , TO220F
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 900 В |
| Струм Id | 8.0 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) | 1.12 Ом (тип.), 1.4 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=4 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (тип.), 58 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 68 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор FSA24N50 оригінал, TO-3P
В наявності
125,02 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FSW25N50A оригінал, TO-3P
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,18 Ом тип., 0,26 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Захист ESD (HBM) | 6000 В |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP03N04NW ( FTP03N04N ) оригінал (40V,240A) , D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds (за назвою) | 40 В |
| Струм (за назвою) | 240 А |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP03N06NA оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Напруга Vds | 60 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 230 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 145 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.0 мОм тип., 3.6 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 95 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 98.4 нКл тип. (Vgs 10 В, Vdd 48 В, Id 115 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5681 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 284 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP06N06N оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А, обмежено кремнієм |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А |
| Опір Rds(on) | 4,5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 76,7 нКл тип. (ID = 60 А, VDD = 48 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3238 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP08N06A оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C; обмежено корпусом до 75 А) |
| Опір Rds(on) | 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP08N07N оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FTP08N08NF оригінал демонтаж, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 65 А |
| Опір Rds(on) | 8,5 мОм макс. (тип. 6,6 мОм), VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 59,8 нК (тип.), VGS = 10 В, VDD = 64 В, ID = 50 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3564 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 198 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FTP11N08A демонтаж ( FTP11N08 )(75V,100A) , TO220
В наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 75 В (Tj 25…175 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C; обмежено корпусом 75 А) |
| Rds(on) | 9.5 мОм тип., 11 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 45 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл тип. (Vdd 37 В, Id 75 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4541 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| trr діода | 89 нс тип., 134 нс макс. (IF 75 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | InPower Semiconductor |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор FTP11N08A оригінал ( FTP11N08 )(75V,100A), TO220
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 75 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (обмеження корпусу 75 А) |
| Rds(on) | 11,0 мОм макс., 9,5 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 45 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл тип. (Vdd 37 В, Id 75 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4541 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |