Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF13N50 ( FQF13N50D2 ) оригінал (заміна для KEF13N50 , FIR13N50F )(13A,500V), TO220F
85,07 ₴
88 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
88 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQF13N50 (FQF13N50D2) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 13 А і 500 В у корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id | 13 А |
| Опір каналу Rds(on) | 0,44 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
FQF13N50 (також маркується FQF13N50D2) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) в ізольованому корпусі TO-220F. За назвою товару – 13 А і 500 В. Точного даташиту на FQF13N50 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі KF13N50F (KEC): напруга стік–витік Vdss 500 В, напруга затвор–витік ±30 В. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0,44 Ом, типово 0,35 Ом (VGS = 10 В, ID = 6,5 А). Порогова напруга від 2,5 до 4,5 В, заряд затвора Qg 35 нКл (тип.), вхідна ємність Ciss 1700 пФ (тип.). Температура переходу до 150 °C. Документ описує інший ізольований корпус (TO-220IS), тому потужність і тепловий опір не наводимо.
За даташитом такі транзистори ставлять в електронні баласти та імпульсні блоки живлення. Деталь оригінальна, не демонтаж. За назвою товару FQF13N50 може замінити KEF13N50 та FIR13N50F, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Заміну підбирайте за корпусом TO-220F: напруга не нижче 500 В, струм не нижче 13 А. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- електронні баласти
- імпульсні блоки живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQF13N50?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з напругою не нижче 500 В і струмом не нижче 13 А, з такою самою розпіновкою. За назвою товару FQF13N50 може замінити KEF13N50 та FIR13N50F. Зворотна заміна не завжди можлива.
Що означає FQF13N50D2 у назві?
Це інше маркування тієї ж деталі, вказане в назві товару. Шукайте за будь-яким із двох номерів.
Звідки параметри FQF13N50?
Точного даташиту на FQF13N50 не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – KF13N50F (KEC). Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: KF13N50F (KEC).
Точного даташиту на FQF13N50 не знайдено. Найближчий схожий даташит – KF13N50F (KEC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.