Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF8N80C оригінал, TO220F
85,54 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQPF8N80C – N-канальний MOSFET onsemi (Fairchild) на 800 В у корпусі TO-220F, для імпульсних блоків живлення. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vdss | 800 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 8 А (TC 25 °C), 5.1 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 32 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 1.55 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Розсіювана потужність Pd | 59 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
FQPF8N80C – N-канальний польовий транзистор (MOSFET, технологія QFET) виробництва onsemi (Fairchild) у корпусі TO-220F. Напруга стік-витік Vdss – 800 В (TC 25 °C). Безперервний струм стоку Id – 8 А при TC 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 5.1 А при TC 100 °C, імпульсний Idm – 32 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 1.55 Ом при Vgs 10 В, Id 4 А. Розсіювана потужність Pd – 59 Вт при TC 25 °C для версії FQPF. Напруга затвор-витік Vgss – ±30 В, пороговий Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте не лише напругу і струм, а й корпус: TO-220F відрізняється від звичайного TO-220 тієї ж серії. Заряд затвора Qg – типово 35 нКл при Vds 640 В, Id 8 А, Vgs 10 В: якщо заміна має значно більший заряд, перевірте драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти для ламп
Чим замінити FQPF8N80C?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з тією ж розпіновкою: Vds не нижче 800 В, достатній струм Id (у цієї деталі 8 А при 25 °C), Rds(on) не значно вищий за 1.55 Ом. Виробник аналоги в datasheet не називає, тому звіряйте datasheet самостійно.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить FQPF8N80C для блока живлення?
Так, у datasheet як застосування названо імпульсні блоки живлення (SMPS), активну корекцію коефіцієнта потужності (PFC) та електронні баласти для ламп.
Який максимальний струм FQPF8N80C?
8 А безперервно при TC 25 °C (обмежено температурою переходу), 5.1 А при TC 100 °C. Тому в реальному пристрої з радіатором орієнтуйтеся на струм при 100 °C.
Документація виробника: FQP8N80C / FQPF8N80C / FQPF8N80CYDTU Rev. C1, N-Channel QFET MOSFET.
Параметри наведено за datasheet виробника onsemi (FQP8N80C / FQPF8N80C, Rev. C1, December 2013).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.