Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA30N50 ( FQA30N50C , 30N50 ) оригінал (30A,500V), TO-3P

235,00 ₴

28 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

28 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FQA30N50 (FQA30N50C, 30N50) – N-канальний польовий транзистор на 500 В і 30 А в корпусі TO-3P. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
Напруга Vds500 В (VGS=0, ID=250 мкА, мін.)
Струм стоку Id30 А (Tc=25 °C, безперервний)
Rds(on)250 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd300 Вт (Tc=25 °C)
Температура переходу150 °C макс.
КорпусTO-3P
СтанОригінал
Опис

FQA30N50 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P, у назві товару також зазначено FQA30N50C і 30N50. За даташитом найближчої деталі 30N50 (Inchange Semiconductor): напруга Vds 500 В (VGS=0, ID=250 мкА, мін.), струм стоку Id 30 А при Tc=25 °C (безперервний), опір відкритого каналу Rds(on) 250 мОм макс. при VGS=10 В, ID=15 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, потужність розсіювання Pd 300 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод є, Vsd макс. 2 В при IS=30 А, VGS=0.

Оригінал, не демонтаж. Заміну добирайте за типом каналу, корпусом TO-3P, Vds не нижче 500 В, Id і Rds(on) не гірше наведених. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні та резонансні джерела живлення
  • DC-DC перетворювачі
Часто питають
Чим замінити FQA30N50?

У нашому каталозі зараз немає перевіреного аналога. Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 500 В, порівнянними Id і Rds(on) при VGS=10 В.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить FQA30N50 для імпульсних джерел живлення?

За даташитом найближчої деталі 30N50 (Inchange Semiconductor) її застосовують в імпульсних та резонансних джерелах живлення і DC-DC перетворювачах. Перевірте Vds і Id для вашої схеми.

Яка напруга відкриття затвора?

Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Rds(on) 250 мОм макс. задано при VGS=10 В.

Datasheet

Найближчий datasheet: 30N50 (Inchange Semiconductor).

Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: 30N50 (Inchange Semiconductor) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.