Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA30N50 ( FQA30N50C , 30N50 ) оригінал (30A,500V), TO-3P
235,00 ₴
28 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
28 в наявності
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA30N50 (FQA30N50C, 30N50) – N-канальний польовий транзистор на 500 В і 30 А в корпусі TO-3P. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc=25 °C, безперервний) |
| Rds(on) | 250 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc=25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C макс. |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FQA30N50 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P, у назві товару також зазначено FQA30N50C і 30N50. За даташитом найближчої деталі 30N50 (Inchange Semiconductor): напруга Vds 500 В (VGS=0, ID=250 мкА, мін.), струм стоку Id 30 А при Tc=25 °C (безперервний), опір відкритого каналу Rds(on) 250 мОм макс. при VGS=10 В, ID=15 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, потужність розсіювання Pd 300 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод є, Vsd макс. 2 В при IS=30 А, VGS=0.
Оригінал, не демонтаж. Заміну добирайте за типом каналу, корпусом TO-3P, Vds не нижче 500 В, Id і Rds(on) не гірше наведених. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні та резонансні джерела живлення
- DC-DC перетворювачі
Чим замінити FQA30N50?
У нашому каталозі зараз немає перевіреного аналога. Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 500 В, порівнянними Id і Rds(on) при VGS=10 В.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить FQA30N50 для імпульсних джерел живлення?
За даташитом найближчої деталі 30N50 (Inchange Semiconductor) її застосовують в імпульсних та резонансних джерелах живлення і DC-DC перетворювачах. Перевірте Vds і Id для вашої схеми.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Rds(on) 250 мОм макс. задано при VGS=10 В.
Найближчий datasheet: 30N50 (Inchange Semiconductor).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.

Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.